LED 芯片封裝缺陷檢測方法及機理研究
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圖2為在電場f’作用‘F芯片電極表面的勢壘圖，其中EF為費米能級，U'為電子發射勢壘。由圖2
若芯片電極表面為突變結，其值為U0，光生電流在隧道結兩側形成的電場強度為F，電極表面以外的勢壘為U0- qFx。取芯片電極導帶底為參考能級E0(x=0)，因而有x0處，U(x)=0；x>0處，U(x)=U0- qFx，根據條件U(x)=E=U0- qFx2
式中d為膜層厚度，V為膜層隧道結兩側電壓。當LED芯片發生光生伏特效應時，由式(7)可知，流過芯片電極表面非金屬膜層的電流受到膜層厚度的影響，隨著膜層增厚，流過膜層的電流減小，流過LED支架回路的光電流也將減小。
綜上所述，引腳式LED支架回路光電流的有無或大小可以反映封裝工藝中LED芯片的功能狀態及芯片電極與引線支架的電氣連接情況，因此，可以通過檢測LED支架回路光電流達到檢測引腳式封裝工藝中芯片功能狀態和封裝缺陷。
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