LED 芯片封裝缺陷檢測方法及機理研究
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圖2為在電場f’作用‘F芯片電極表面的勢壘圖，其中EF為費米能級，U'為電子發(fā)射勢壘。由圖2
若芯片電極表面為突變結(jié)，其值為U0，光生電流在隧道結(jié)兩側(cè)形成的電場強度為F，電極表面以外的勢壘為U0- qFx。取芯片電極導(dǎo)帶底為參考能級E0(x=0)，因而有x0處，U(x)=0；x>0處，U(x)=U0- qFx，根據(jù)條件U(x)=E=U0- qFx2
式中d為膜層厚度，V為膜層隧道結(jié)兩側(cè)電壓。當(dāng)LED芯片發(fā)生光生伏特效應(yīng)時，由式(7)可知，流過芯片電極表面非金屬膜層的電流受到膜層厚度的影響，隨著膜層增厚，流過膜層的電流減小，流過LED支架回路的光電流也將減小。
綜上所述，引腳式LED支架回路光電流的有無或大小可以反映封裝工藝中LED芯片的功能狀態(tài)及芯片電極與引線支架的電氣連接情況，因此，可以通過檢測LED支架回路光電流達到檢測引腳式封裝工藝中芯片功能狀態(tài)和封裝缺陷。
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