獲高通及聯發科訂單 聯電28nm向前沖

　　晶圓代工二哥聯電28納米高介電金屬閘極(HKMG)制程良率獲得重大突破，順利拿下高通及聯發科訂單，將成下半年成長主要動能。

　　為了拉近與龍頭臺積電間的差距，聯電14納米鰭式場效電晶體(FinFET)制程將于明年上半年開始試產，10納米世代將加入由IBM主導的通用平臺(CommonPlatform)聯盟，與三星、格羅方德(GlobalFoundries)共同合作開發。

　　聯電昨(11)日召開股東常會，通過配發0.5元現金股利及私募案，董事長洪嘉聰除了強調私募案絕對不會折價發行的立場，也表示28納米多晶矽氮氧化矽(PolySiON)及HKMG制程良率顯著提升，且在14納米以下制程開發上，聯電延續2012年與IBM簽訂的授權協議，在10納米世代加入IBM技術開發聯盟。

　　聯電5月營收達119.3億元改寫歷史新高，財務長劉啟東表示，第2季產能利用率逼近9成，8寸廠產能全線滿載，其中LCD驅動IC產能更是供不應求。聯電臺灣地區8寸廠擴產空間有限，蘇州和艦則將在本季將月產能由4.4萬片提升到4.8～5萬片，也不排除透過并購方式擴產，至于第3季營運表現看來將會比第2季更好。

　　法人預估，聯電第2季營收季增率將介于12～14%間，毛利率25%目標也會達陣，以此推估，聯電第2季獲利將有機會上看37～40億元，較第1季成長超過2倍，每股凈利將賺逾0.3元。

　　聯電今年第2季移動裝置芯片接單強勁，40納米接單全滿，28納米HKMG制程因良率上有明顯突破，也傳出獲得高通、聯發科等手機芯片代工訂單。而聯電不評論接單情況，但劉啟東表示，28納米第2季營收占比將達1%，第4季會達5%，HKMG制程接單將成主流。

　　臺積電今年全力沖刺20納米產能，明年則轉進16納米FinFET制程世代。聯電因為28納米明顯落后，所以決定跳過20納米，直接轉進與IBM合作的14納米FinFET制程，預估明年上半年開始試產。同時，聯電南科12寸廠Fab12A的第5期將在明年下半年開出產能。

　　聯電也決定在10納米世代加入IBM主導的通用平臺，將與IBM、三星，以及格羅方德共同研發10納米技術，以縮減與臺積電間的技術差距。