等離子處理提高65nm邏輯器件可靠性 作者： 時間：2009-05-20 來源：網絡 加入技術交流群 掃碼加入和技術大咖面對面交流海量資料庫查詢 收藏 <a target='_blank'><img src='https://ad.eepw.com.cn/www/delivery/avw.php?zoneid=88&cb=INSERT_RANDOM_NUMBER_HERE&n=a635e61e' border='0' alt='' /></a> <a target='_blank'><img src='https://ad.eepw.com.cn/www/delivery/avw.php?zoneid=87&cb=INSERT_RANDOM_NUMBER_HERE&n=a576c0a2' border='0' alt='' /></a> 等離子預處理作用 為了了解等離子處理對Cu/SiN界面的作用，在PECVD系統中于淀積SiN體薄膜前有和沒有預處理情況下淀積SiN薄膜。通過用SIMS測量Cu和SiN界面污染，研究等離子預處理的作用。實驗數據說明，淀積SiN體薄膜前用NH3處理可顯著減少Cu和SiN界面處的O和C含量（圖3）。增加預處理時間也可使O和C含量減少，見圖4和圖5，這表明NH3預處理是去除有機污染和減少到Cu的Cu-O的有效方法。 上一頁 1 2 3 4 5 下一頁
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