英特爾打破散熱瓶頸摩爾定律再活百年

 
　1月28日消息，據國外媒體報道，英特爾日前宣布，已經解決了長期困擾半導體行業的芯片散熱問題。 

　　據美聯社報道，英特爾日前表示，已經開發出新的材料來替代當前晶體管中的易發熱材料。與當前材料相比，新材料能夠降低電子泄露10倍以上，提升晶體管性能20%以上。

　　業內專家稱，這將是自20世紀60年代以來晶體管技術史上的最大突破。該技術允許半導體廠商制造體積更小的電子產品。

　　近年來，盡管半導體公司仍在續寫摩爾定律，但芯片散熱問題已經成為半導體廠商所撓頭的問題。這主要是由于晶體管所采用的絕緣材料二氧化硅體積越來越小，電流數量增加導致發熱量過高。

　　半導體廠商在晶體管中使用二氧化硅的歷史已經40多年。而英特爾的新技術就是利用新材料來取代二氧化硅，從而降低芯片發熱量。

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