工程師參考手冊（一）：D類功放設計須知
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13、D類功放中MOSFET選擇的其他考慮
*選擇合適的封裝和結構
*功放的THD、EMI和效率，還受FET的體二極管影響。縮短體二極管恢復時間（工R的并聯肖特基二級管的FET）;降低反向恢復電流和電荷，能改善THD;EMI和效率。
*FET結殼熱阻要盡可能小，以保證結溫低于限制。
*保證較好可靠性和低的成本條件下，工作在最大結溫。用絕緣包封的器件是直接安裝還是用裸底板結構墊絕緣材料，依賴于它的成本和尺寸。
14、D類功放參考設計見圖6所示
*拓撲：半橋
*選用IR2011S（柵極驅動IC，最高工作電壓200V，Io+/-為1.0A/1.0A，Vout為10-20V，ton/off為8060ns，延時匹配時間為20ns）;IRFB23N15D （MOSFET功率管ID=23A，R DS=90mΩ，Qg=37nC Bv=150V To-220封裝）
*開關頻率：400KHz（可調）
*額定輸出：200W+200W/4歐
*THD:0.03%-1mhz半功率
*頻率響應：5Hz-40KHz（-3dB）
*電源：～220v±50V
*尺寸：4.0“×5.5”
15、結論
如果我們在選擇器件時很謹慎，并且考慮到精細的設計布線，因為雜散參數有很大的影響，那么目前高效D類功放可以提供和傳統的AB類功放類似的性能。
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