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        工程師參考手冊(一):D類功放設計須知

        作者: 時間:2013-09-11 來源:網(wǎng)絡 收藏

        一、音頻功率放大器設計基礎

          D功放是基于脈沖寬度調(diào)制技術的開關放大器,包括脈沖寬度調(diào)制器(幾百千赫茲開關頻率),功率橋電路,低通濾波器。本文從構(gòu)成、拓撲結(jié)構(gòu)對比、MOSFET的選擇與功率損耗、失真和噪音產(chǎn)生、音頻性能等音頻功率放大器設計有關的基礎問題作分析,并例舉功率放大器參考設計。

          1、 D類功放基本構(gòu)成

          目前有很多種不同種類的功放,如:A類、B類、AB類等。但D類功放與其不同的是基本是一個開關功放或者是脈寬調(diào)制功放。為此,主要將對說明這類D類功放作以說明。

          在這種D類功放中,器件要么完全導通,要么完全關閉,大幅度減少了輸出器件的功耗,效率達90-95%都是可能的。音頻信號是用來調(diào)制PWM載波信號,其載波信號可以驅(qū)動輸出器件,用最后的低通濾波器去除高頻PWM載波頻率。

          眾所周知, A類、B類和AB類功放均是線形功放,那么D類功放與它們究竟有什么不同?我們首先應作討論。圖1是D功放原理框圖,在一個線性功放中信號總是停留在模擬區(qū),輸出晶體管(器件)擔當線性調(diào)整器來調(diào)整輸出電壓。這樣在輸出器件上存在著電壓降,其結(jié)果降低了效率。

          D功放原理框圖

          而D類功放采用了很多種不同的形式,一些是數(shù)字輸入,還有一些是模擬輸入,在這里我們將集中討論一下模擬輸入。

          上面圖1顯示的是半橋D類功放的基本功能圖,其中給出了每級的波形。電路運用從半橋輸出的反饋來補償母線電壓的變化。那末D類功放是如何工作的呢?D類功放的工作原理和PWM的電源是相同的,我們假設輸入信號是一個標準的音頻信號,而這個音頻信號是正弦波,典型頻率從20Hz到20kHz范圍。這個信號和高頻三角或鋸齒波形相比可以產(chǎn)生PWM信號,見圖2a中所示。這個PWM信號被用來驅(qū)動功率級,產(chǎn)生放大的數(shù)字信號,最后一個低通過濾波器被用在這個信號上來濾掉PWM載波頻率,重新得到正弦波音頻信號,見圖2b中所示。

          工程師參考手冊(一):D類功放設計須知

          2、 從拓撲結(jié)構(gòu)對比-看線性和D類不同

          值此將討論線性功放(A類和AB類)和D類數(shù)字功放的不同之處。這兩者之間主要的不同是效率,這也是為什么要發(fā)明D類功放的原因。線性功放就其性能而言具有固有的線性,但是即使是AB功放其效率也只有50%,而D類功放的效率很高,在實際的設計中達90%。

          增益-線性功放增益不受母線電壓影響而變化,然而D類功放的增益是和母線電壓成比例的。這就意味著D類功放的電源抗擾比率是0dB,而線性的PSRR(電源供應抑制比率)就很好。在D類功放中普遍用反饋來補償母線電壓變化。

          能量流向-在線性功放中,能量是從電源到負載,雖然在全橋D類功放中也是這樣,但半橋D類功放還是不同的,因為能量可以雙向流動而導致“母線電壓提升”現(xiàn)象產(chǎn)生,這樣會造成母線電容被從加載來的能量充電。這個主要發(fā)生在低頻上,如低于100Hz是這樣。

          3、 D類功放與Buck降壓轉(zhuǎn)換器類拓撲差異

          在D類功放和同步降壓轉(zhuǎn)換器拓撲原理作如圖3所示。這兩個電路之間的主要不同有三:其一、對于同步降壓轉(zhuǎn)換器,其基準電壓來自反饋電路的慢慢變化的穩(wěn)定電壓;而D類功放的參考信號是一個不斷變化的音頻信號。也就是說,同步降壓轉(zhuǎn)換器的占空比是相對穩(wěn)定的,而D類以圍繞50%占空比不斷地改變。其二、在同步降壓轉(zhuǎn)換器中負載電流的方向總是朝著負載,即電感電流為單向,見圖3左所示。但是在D類功放中電流是朝著兩個方向的,即電感電流為雙向,見圖3右所示。最后的不同是MOSFET的優(yōu)化方式。同步降壓轉(zhuǎn)換器對于高低端的晶體管有著不同的優(yōu)化,較長的周期需要較低的Rds(on),而較短的周期需要低的Qg(柵極電荷),即兩個開關作用不同。但D類功放對兩個MOSFET有著相同的優(yōu)化方式。高低端器件有相同的Ras(on),即兩個開關作用相同。

          D類功放和同步降壓轉(zhuǎn)換器拓撲原理

          4、 D類功放中MOSFET的選擇

          在功放中要達到高性能的關鍵因素是功率橋電路中的開關。在開關過程中產(chǎn)生的功率損耗、死區(qū)時間和電壓、電流瞬時毛刺等都應該盡可能的最小化來改善功放的性能。因此,在這種功放中開關要做到低的電壓降,快速的開關時間和

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