DDR6 預計將于 2027 年大規模應用，據報道內存巨頭已最終完成原型設計

隨著 JEDEC 于 7 月 9 日發布 LPDDR6 標準，內存巨頭正競相滿足來自移動和 AI 設備的激增需求。值得注意的是，據行業消息人士援引 商業時報 的報道，DDR6 預計將于 2027 年進入大規模應用。

領先的 DRAM 制造商，包括三星、美光和 SK 海力士，已經啟動了 DDR6 開發，重點關注芯片設計、控制器驗證和封裝模塊集成。正如商業時報所述，三大主要 DRAM 制造商已完成 DDR6 原型芯片設計，現在正與內存控制器和平臺參與者如英特爾和 AMD 合作進行接口測試。

在產品路線方面，報告指出下一代 CPU 預計從 2026 年開始支持 DDR6，目標市場為 AI 服務器、HPC 系統和高端筆記本電腦。

DDR6 標準逐漸成型

商業時報指出，JEDEC（固態技術協會）已于 2024 年底完成了 DDR6 主要草案標準，而 LPDDR6 草案則在 2025 年第二季度發布。報告稱，平臺測試和驗證預計將于 2026 年開始。

盡管標準仍在制定中，但商業時報援引行業消息人士的話稱，DDR6 在性能和架構方面都帶來了重大進步。據報告說，DDR6 的速度預計將是 DDR5 的兩倍甚至三倍，起步速度為 8,800 MT/s，最高可達 17,600 MT/s。

結構上，DDR6 將轉向多通道設計，采用 4×24 位子通道，而 DDR5 采用的是 2×32 位設置，據《商業時報》報道。這將允許更好的并行處理、數據流和帶寬利用，但同時也對模塊 I/O 設計和信號完整性提出了更高的要求，報道補充道。

同時，CAMM2（壓縮附加內存模塊 2）—現正由 JEDEC 標準化—正成為 DDR6 時代的關鍵特性。《商業時報》報道，CAMM2 提供更高的帶寬、更大的密度、更低的阻抗和更薄的形狀因子，解決了傳統 288 引腳 DIMM 插槽在 DDR5 中的物理限制。

LPDDR6 更新

另一方面，據 《專家》 稱，除了領先的內存公司外，高通、聯發科和 Synopsys 等芯片設計巨頭也一直在塑造 LPDDR6 標準。隨著新規范的最終確定，內存制造商、移動和 AI 芯片設計者和測試設備供應商現在可以在統一的框架下對齊開發和驗證工作。

樂觀地，The Guru 指出，LPDDR6 產品可能在年底前上市，而三星和 SK 海力士——多年來一直在開發這項技術——正在準備大規模生產。與此同時，高通和聯發科也在加快 SoC 開發，以推動下一代高性能 AI 設備的發展，報道補充道。