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        英飛凌將為Rivian的R2平臺供應用于電動汽車牽引逆變器的功率模塊

        作者: 時間:2025-06-11 來源:EEPW 收藏


        本文引用地址:http://www.104case.com/article/202506/471273.htm

        全球功率系統和物聯網領域的半導體領導者科技股份公司將為的R2平臺提供適用于。R2平臺將使用HybridPACK? Drive G2產品系列的碳化硅(SiC)和硅(Si)模塊。預計將從2026年開始供貨。此外,英飛凌還將為該平臺提供其他產品,包括AURIX? TC3x微控制器和電源管理IC。

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        的R2平臺將使用英飛凌HybridPACK? Drive G2產品系列的碳化硅(SiC)和硅(Si)模塊

        英飛凌科技汽車電子事業部高壓模塊產品線負責人Stefan Obersriebnig表示:“我們致力于與這樣的創新型汽車公司攜手合作,共同提升電動汽車的性能和續航能力。因為對創新和零缺陷質量的不斷追求,英飛凌成為汽車行業的首選合作伙伴。我們憑借廣泛的產品組合、系統專業知識和制造能力,在塑造零排放、可持續發展的交通出行方面發揮著關鍵作用。”

        HybridPACK? Drive是英飛凌面向電動汽車的市場領先系列。自2017年以來,該系列產品銷量已突破1050萬件,為電動化轉型作出了重要貢獻。這一轉型將推動功率半導體市場強勁增長,尤其是基于寬禁帶材料(如碳化硅SiC)的功率半導體。

        隨著居林晶圓廠擴建項目的推進,英飛凌正在打造全球最具競爭力的200毫米碳化硅(SiC)功率半導體晶圓廠,并進一步鞏固自身作為汽車行業高質量、大規模供應商的領先地位。英飛凌居林和菲拉赫生產基地通過共享技術與工藝,實際上形成了一個高度專注于寬禁帶(WBG)技術創新的“虛擬協同工廠”。這種協作使得碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)產品制造能快速增產,同時實現了流暢、高效的運營,并鞏固了英飛凌在所有功率半導體材料(包括Si、SiC和GaN)領域的技術領導地位。



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