英飛凌推出超高電流密度功率模塊，助力高性能AI計(jì)算

數(shù)據(jù)中心目前占全球能源消耗的2%以上。在人工智能的推動(dòng)下，預(yù)計(jì)到2030年，這一數(shù)字將增長到7%左右，相當(dāng)于整個(gè)印度目前的能耗。實(shí)現(xiàn)從電網(wǎng)到核心的高效功率轉(zhuǎn)換對于實(shí)現(xiàn)卓越的功率密度至關(guān)重要，從而在降低總擁有成本（TCO）的同時(shí)提高計(jì)算性能。因此，英飛凌科技股份公司將推出TDM2354xD和TDM2354xT雙相電源模塊，具有出色的功率密度，適用于高性能AI數(shù)據(jù)中心。這些模塊實(shí)現(xiàn)了真正的垂直功率傳輸（VPD），并提供了業(yè)界領(lǐng)先的電流密度1.6A/mm2。英飛凌在今年早些時(shí)候還推出了TDM2254xD雙相功率模塊。

英飛凌科技公司電源IC副總裁Rakesh Renganathan表示：“我們很自豪能夠使用我們的TDM2354xT和TDM2354xD VPD模塊助力高性能AI數(shù)據(jù)中心。這些半導(dǎo)體器件將憑借英飛凌的商標(biāo)質(zhì)量和穩(wěn)健性更大程度地提高系統(tǒng)性能，從而為數(shù)據(jù)中心實(shí)現(xiàn)更佳TCO。我們行業(yè)領(lǐng)先的功率器件和封裝技術(shù)，結(jié)合我們廣泛的系統(tǒng)專業(yè)知識，將進(jìn)一步推進(jìn)高性能和綠色計(jì)算，作為我們推動(dòng)數(shù)字化和脫碳使命的一部分。”

TDM23541D雙相功率模塊

通過采用英飛凌強(qiáng)大的OptiMOS? 6溝道技術(shù)、芯片嵌入式封裝（通過提高電氣和熱效率實(shí)現(xiàn)超高功率密度），以及新型電感器技術(shù)，TDM2354xD和TDM2354xT模塊的外形變得更薄，進(jìn)而實(shí)現(xiàn)了真正的垂直功率傳輸。這兩款模塊也因此樹立了功率密度和質(zhì)量的新標(biāo)準(zhǔn)，更大程度地提高了AI數(shù)據(jù)中心的計(jì)算性能和效率。TDM2354xT模塊支持的最大電流為160 A，是業(yè)內(nèi)首款采用8 x 8 mm2 小外形尺寸的跨電感穩(wěn)壓器（TLVR）模塊。兩款模塊在與英飛凌的 XDP?控制器相結(jié)合后，可提供極快的瞬態(tài)響應(yīng)，并且最多可將板載輸出電容降低50%，進(jìn)一步提高了系統(tǒng)功率密度。

供貨情況

OptiMOS雙相功率模塊TDM2354xD和TDM2354xT現(xiàn)提供樣品。