ASML 回?fù)糍|(zhì)疑：High-NA EUV 光刻仍是未來最經(jīng)濟選擇

 2 月 2 日消息，ASML 首席財務(wù)官 Roger Dassen 近日接受了荷蘭當(dāng)?shù)孛襟w Bits&Chips 的采訪。在采訪中，Dassen 回應(yīng)了分析機構(gòu) SemiAnalysis 的質(zhì)疑，表示 High-NA（高數(shù)值孔徑）EUV（極紫外光）光刻機仍是未來最經(jīng)濟的選擇。

SemiAnalysis 之前刊發(fā)文章，認(rèn)為 High-NA 光刻技術(shù)將使用更高的曝光劑量，從而明顯降低單位時間內(nèi)的晶圓吞吐量。這就意味著，相較于沿用現(xiàn)有的 0.33NA EUV 光刻機并搭配多重曝光，引入 High-NA 在近期不會帶來成本優(yōu)勢。

Dassen 認(rèn)為，SemiAnalysis 的觀點輕視了多重曝光路線的復(fù)雜程度，英特爾 10nm 制程難產(chǎn)的關(guān)鍵原因之一就是其 DUV+SAQP（IT之家注：Self-Aligned Quadruple Patterning，即自對準(zhǔn)四重曝光）技術(shù)路線過于復(fù)雜，正因此英特爾積極布局 High-NA EUV 技術(shù)，買下了第一臺 High-NA 光刻機。

Dassen 表示，不同客戶對于引入 High-NA 的時間點有不同評估是很自然的，不過 AMSL 每季度都獲得了數(shù)個 High-NA EUV 光刻機新訂單。