新聞中心

        EEPW首頁 > EDA/PCB > 業界動態 > GAA技術才開始,半導體大廠已著手研發下一代CFET技術

        GAA技術才開始,半導體大廠已著手研發下一代CFET技術

        作者: 時間:2023-10-07 來源:科技新報 收藏

        外媒eNewsEurope報道,英特爾和臺積電將在國際電子元件會議(IEDM)公布垂直堆疊式()場效晶體管進展,這有望使成為十年內最可能接替全環繞柵極晶體管()的下一代先進制程。

        本文引用地址:http://www.104case.com/article/202310/451192.htm

        場效晶體管將n和p兩種MOS元件堆疊在一起,以實現更高的密度。該項技術最初由比利時微電子研究中心(IMEC)于2018年所提出的。雖然,大多數早期研究以學術界為主,但英特爾和臺積電等半導體企業現在已經開始這一領域的研發,借此積極探索這種下一代先進晶體管技術。

        英特爾表示,研究員建構一個單片3DCFET,含三個n-FET納米片,層疊在三個p-FET納米片上,保持30納米垂直間隙,英特爾公司在題為 "60納米柵極間距的堆疊式CMOS逆變器演示(帶電源通路和直接背面器件觸點)"的演講中將介紹利用60納米柵極間距CFET的功能性逆變器測試電路。該技術還采用了垂直分層雙電源漏外延和雙金屬柵極堆疊,并結合PowerVia背后供電等技術。

        為了不被對手超越,臺積電也會展示CFET技術。據悉,臺積電客制邏輯芯片具有48納米柵極間距,專注放在p型晶體管上的分層n型納米片晶體管,擁有跨越六個等級的開關電流比。

        臺積電表示,CFET晶體管已證明耐用性超過90%,且成功通過測試。雖然臺積電承認需要研究更多,才能充分利用CFET技術,但目前正在進行的工作是實現這一目標的關鍵一步。



        關鍵詞: GAA CFET

        評論


        技術專區

        關閉
        主站蜘蛛池模板: 罗平县| 罗源县| 唐山市| 石渠县| 斗六市| 伊金霍洛旗| 渝北区| 安化县| 丰原市| 栖霞市| 马龙县| 兰州市| 阿拉善盟| 罗田县| 平江县| 芦山县| 潼南县| 平谷区| 巍山| 伊通| 仁布县| 墨脱县| 西林县| 信阳市| 德兴市| 沾化县| 通河县| 福海县| 自贡市| 岳西县| 尉犁县| 祁阳县| 军事| 五华县| 台南县| 平湖市| 南部县| 平利县| 中阳县| 法库县| 界首市|