新興半導體公司 Rapidus 計劃在未來幾年大幅擴大其 2nm 研發力度，因為它看到了科技巨頭的巨大興趣。Rapidus 的 2nm 工藝采用 BSPDN 和 GAA 技術，使其成為業內獨一無二的實現。半導體供應鏈長期以來一直被臺積電等公司主導，而英特爾和三星代工廠等競爭對手也在努力鞏固自己的市場份額，因此還有很長的路要走。不過，據說日本領先的芯片制造公司
Rapidus 已加入尖端節點的競爭，據DigiTimes報道，該公司已經在日本北海道開發了一個專用設施，以盡快進入量產階段。據稱，Rapidu
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日本半導體 Rapidus 2nm工藝 量產 BSPDN GAA
三星為了與臺積電競爭大絕盡出，根據《韓國經濟日報》報導，三星計劃采用最新「背面電軌」（BSPDN，又稱「晶背供電」）芯片制造技術，能讓2納米芯片的尺寸，相比傳統前端配電網絡（PDN）技術縮小17%。三星代工制程設計套件（PDK）開發團隊副總裁Lee Sungjae近期向大眾揭露BSPDN細節，BSPDN相較于傳統前端配電網絡，可將芯片效能、功率分別提升8%、15%，而且三星預定在2027年量產2納米芯片時采用BSPDN技術。BSPDN被稱為次世代晶圓代工技術，該技術主要是將電軌置于硅晶圓被面，進而排除電與
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三星 BSPDN 臺積電
7 月 4 日消息，根據工商時報報道，臺積電提出了更完善的背面供電網絡（BSPDN）解決方案，所采用方式最直接、有效，但代價是生產復雜且昂貴。為什么要背面供電網絡？由于晶體管越來越小，密度越來越高，堆疊層數也越來越多，因此想要為晶體管供電和傳輸數據信號，需要穿過 10-20 層堆棧，大大提高了線路設計的復雜程度。背面供電技術（BSPDN）將原先和晶體管一同排布的供電網絡直接轉移到晶體管的背面重新排布，也是晶體管三維結構上的一種創新。該技術可以在增加單位面積內晶體管密度的同時，避免晶體管和電源網絡之間的信號
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臺積電 背面供電技術 BSPDN
埃米時代來臨，背面電軌（BSPDN）成為先進制程最佳解決方案，包括臺積電、英特爾、imec（比利時微電子研究中心）提出不同解方，鎖定晶圓薄化、原子層沉積檢測（ALD）及再生晶圓三大制程重點，相關供應鏈包括中砂、天虹及升陽半導體等受惠。 背面電軌（BSPDN）被半導體業者喻為臺積電最強黑科技，成為跨入埃米時代最佳解決方案，預估2026年啟用。目前全球有三種解決方案，分別為imec的Buried Power Rail、Intel的PowerVia及臺積電的Super Power Rail。代工大廠皆開始透過設
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臺積電 背面電軌 BSPDN
IT之家 6 月 13 日消息，三星電子在北京時間今日凌晨舉行的三星代工論壇 2024 北美場上宣布，其首個采用 BSPDN（背面供電網絡）的制程節點 SF2Z 將于 2027 年量產推出。BSPDN 技術將芯片的供電網絡轉移至晶圓背面，與信號電路分離。此舉可簡化供電路徑，大幅降低供電電路對互聯信號電路的干擾。三大先進制程代工廠目前均將背面供電視為工藝下一步演進的關鍵技術：英特爾將于今年率先在其 Intel 20A 制程開始應用其背面供電解決方案 PowerVia；臺積電則稱搭載其 Super
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三星 工藝制程 BSPDN
IT之家 2 月 28 日消息，據韓媒 Chosunbiz 報道，三星電子近日在背面供電網絡（BSPDN）芯片測試中獲得了好于預期的成果，有望提前導入未來制程節點。傳統芯片采用自下而上的制造方式，先制造晶體管再建立用于互連和供電的線路層。但隨著制程工藝的收縮，傳統供電模式的線路層越來越混亂，對設計與制造形成干擾。BSPDN 技術將芯片供電網絡轉移至晶圓背面，可簡化供電路徑，解決互連瓶頸，減少供電對信號的干擾，最終可降低平臺整體電壓與功耗。對于三星而言，還特別有助于移動端 SoC 的小型化?！?n
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三星 BSPDN 芯片測試
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