鎧俠和西部數(shù)據(jù)宣布推出 218 層 3D NAND 閃存

IT之家 3 月 31 日消息，鎧俠和西部數(shù)據(jù)公司近日宣布了他們最新的 3D 閃存技術，該技術具有超高的容量、性能和可靠性，同時價格合理。該技術采用了先進的縮放和晶圓鍵合技術的成果，旨在滿足各行各業(yè)快速增長的數(shù)據(jù)市場的需求。

據(jù)西部數(shù)據(jù)公司的技術與戰(zhàn)略高級副總裁 Alper Ilkbahar 介紹，兩家公司的合作和研發(fā)投入使他們能夠提前完成這項基礎技術的產(chǎn)品化，并提供高性能和資本效率的解決方案。通過引入多項獨特的工藝和架構，鎧俠和西部數(shù)據(jù)降低了成本，實現(xiàn)了持續(xù)的橫向縮放進步，并在更少的層數(shù)和更優(yōu)化的成本下提高了單個芯片的容量。

據(jù)IT之家了解，兩家公司引入的突破性創(chuàng)新之一是 CMOS 直接鍵合到陣列（CBA）技術。每個 CMOS 晶圓和單元陣列晶圓分別在其最佳狀態(tài)下制造，然后鍵合在一起，以提供更高的比特密度和更快的 NAND I / O 速度。

其 NAND I / O 速度超過 3.2Gb / s，比上一代提高了 60%，同時寫入性能提高了 20%，讀取延遲降低了 20%，將為用戶帶來更快速和便捷的體驗。

這種先進的工程合作伙伴關系促成了第八代 BiCS FLASH 的成功推出，該閃存擁有業(yè)界最高的位密度。目前已開始向部分客戶提供樣品，未來將用于一系列以數(shù)據(jù)為中心的應用，包括智能手機、物聯(lián)網(wǎng)設備和數(shù)據(jù)中心。