國產技術進步：長江存儲或跳過192層閃存 切入232層

2016年成立的長江存儲，于2017年通過自主研發和國際合作的方式，設計制造了首款3D NAND閃存。2019年，長江存儲晶棧 Xtacking架構的第二代3D TLC閃存量產，2020年，第三代TLC/QLC研發成功，推進到128層3D堆疊。

根據此前韓國研究機構OERI的一份報告，其表示中韓閃存技術差距目前已經縮短至兩年，理由是三星和SK海力士明年初會量產超200層閃存，長江存儲則要到2024年，現在來看，它們低估了長江存儲的技術儲備。此前傳出長江存儲有望打入蘋果供應鏈，為iPhone等產品供貨閃存的說法，倘若最終實現，那么無疑將有著打破產業格局的動能。