國產(chǎn)芯片彎道超車：曝長江存儲欲直接量產(chǎn)232層閃存

國產(chǎn)芯片領(lǐng)域中，存儲芯片的表現(xiàn)和追趕速度是最快的領(lǐng)域。此前有消息稱國產(chǎn)存儲芯片大廠已經(jīng)完成了192層的3D NAND閃存樣品的自主研發(fā)，并在今年年底前會實現(xiàn)量產(chǎn)交付。

而目前有消息稱，長江存儲計劃跳過192層，直接切入232層閃存生產(chǎn)。

這意味著，如果長江存儲實現(xiàn)量產(chǎn)232層閃存芯片，我國在存儲芯片領(lǐng)域的技術(shù)將達到國際先進水平。

而目前三星和SK海力士明年初會量產(chǎn)超200層閃存，長江存儲越過192層，直接生產(chǎn)232層，將到達一線水平。