Microchip推出64兆位串行SuperFlash存儲器，豐富旗下面向航天系統設計的COTS耐輻射器件產品陣容

航天器系統設計人員非常需要縮短系統開發時間，并降低系統開發成本和風險。Microchip Technology Inc.（美國微芯科技公司）提出從商用現貨（COTS）器件開始，然后用宇航級等效耐輻射（RT）元件進行替換的理念。Microchip今日宣布擴展其基于商用現貨技術的耐輻射SuperFlash^?產品系列，將Microchip存儲器技術無與倫比的50千拉德（krad）總電離劑量（TID）耐受引入64兆位串行四通道I/O NOR閃存器件，用于惡劣的航天和國防系統環境。

Microchip航天與國防業務部助理副總裁Bob Vampola表示：“SST26LF064RT SuperFlash器件為64兆位串行四通道I/O存儲器解決方案帶來市場上最佳的TID性能，可與各種空間應用中的任何基于SRAM的FPGA一起工作。這款器件適合近地軌道（LEO）空間衛星和其他惡劣輻射環境中所用的系統，在這些環境中存儲驅動完整系統的關鍵軟件代碼或比特流需要配套閃存。”

與常規堆疊式柵極閃存相比，Microchip SuperFlash NOR閃存產品提供專有分離式柵極單元架構以改善性能、提高數據保留和可靠性。這些產品消除了電源管理切換的復雜性，即使在閃存仍處于供電和系統運行狀態時（比如衛星機載計算機和面向電機、傳感器、太陽能電池板與配電的不同類型控制器），也能實現業內高TID。Microchip RT SuperFlash技術已在工業應用中得到驗證，現已作為并行接口解決方案與64兆位SST38LF6401RT器件配合使用，該器件現已通過宇航級認證，可用于航天器搭載模型。借助SST26LF064RT產品，設計人員現在還可以選擇串行四通道I/O 64兆位存儲器。

應用筆記說明如何將64兆位串行SuperFlash器件與Microchip的SST26LF064RT RT閃存參考評估板和宇航級基于SRAM 的FPGA配合使用。與Microchip的并行SuperFlash存儲器一樣，串行SuperFlash產品也可用作FPGA和其他Microchip解決方案的配置存儲器，比如基于arm^? Cortex^?-M7的SAMRH707抗輻射單片機（MCU）。該產品也可與RT PolarFire^? FPGA配合使用，以支持航天器搭載系統的重新配置。

供貨

Microchip RT SST26LF064RT SuperFlash存儲器現在提供陶瓷封裝樣品。此外，SST38LF6401RT（并行）陶瓷和塑封型航天型號現已供貨。這些器件與耐輻射FPGA（RTG4和耐輻射Polarfire）、抗輻射微處理器SAMRH71和抗輻射單片機SAMRH707互補。如需了解更多信息（包括價格），請聯系Microchip代表或全球授權分銷商。

Microchip從COTS到耐輻射產品的工藝

通過改進旗下成熟可靠的汽車或工業標準產品系列中相關器件的硅工藝，Microchip使這些器件免受重離子環境中的單粒子閂鎖影響。通過為每個功能塊提供專門的輻射報告，這些經過少量修改的器件的輻射性能得到充分的表征。設計人員可以使用易于獲取的COTS器件開始系統部署，然后在PCB階段將其替換為引腳兼容的宇航級器件。