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        東芝推出新款MOSFET柵極驅動IC,助力縮小設備尺寸

        —— TCK42xG系列支持外部N溝道MOSFET的背對背連接
        作者: 時間:2022-02-10 來源:電子產品世界 收藏

        東芝電子元件及存儲裝置株式會社(“東芝”)近日宣布,推出其面向20V電源線路的新款“TCK42xG系列”MOSFET柵極驅動IC中的首款產品---“TCK421G”。該系列器件專門用于控制外部N溝道MOSFET的柵極電壓(基于輸入電壓),同時具備過壓鎖定功能。新產品于今日開始支持批量出貨。

        本文引用地址:http://www.104case.com/article/202202/431230.htm

        通過與背對背連接的外部N溝道MOSFET相配合,TCK421G適用于配置具有反向電流阻斷功能的電源多路復用器電路或負載開關電路。它內置電荷泵電路,支持2.7V至28V的寬輸入電壓范圍,經過間歇操作,為外部MOSFET的柵極-源極電壓提供穩定電壓。這種方式允許大電流的切換。

        image.png

        TCK421G采用WCSP6G[1]封裝,是行業最小的封裝之一[2]。這便于TCK421G在可穿戴設備和智能手機等小型設備上實現高密度貼裝,從而縮小上述設備的尺寸。

        東芝將繼續開發TCK42xG系列,并計劃推出總共六款產品。TCK42xG系列的過壓鎖定將支持5V至24V的輸入電壓。可提供5.6V和10V兩種類型的柵極輸出電壓,用于外部MOSFET中不同的柵源電壓。過壓鎖定和柵極輸出電壓可以根據用戶具體設備進行選擇。

        ■   應用:

        -   可穿戴設備

        -   智能手機

        -   筆記本電腦、平板電腦

        -   存儲設備等

        ■   新產品系列特性:

        -   內置電荷泵電路,柵極-源極電壓(5.6V、10V)取決于輸入電壓

        -   過壓鎖定支持5V至24V

        -   低輸入關斷電流:當VIN=5V,Ta=-40℃至85℃時,IQ(OFF)=0.5μA(最大值)

        ■   主要規格:

        (除非另有說明,Ta=25℃)

        器件型號

        TCK421G

        封裝

        名稱

        WCSP6G

        尺寸(mm)

        1.2×0.8(典型值)

        厚度=0.35(最大值)

        工作范圍

        輸入電壓VIN(V)

        當Ta=-40℃至85℃時

        2.7至28

        電氣特性

        VIN UVLO閾值,Vout下降

        VIN_UVLO典型值/最大值(V)

        當Ta=-40℃至85℃時,VIN_UVLO最大值

        2.0/2.5

        VIN UVLO滯后

        VIN_UVhyst典型值(V)

        0.2

        VIN OVLO閾值,

        Vout下降

        VIN_OVLO最小值/最大值(V)

        當Ta=-40℃至85℃時

        22.34/24.05

        VIN OVLO滯后

        VIN_OVhyst典型值(V)

        0.12

        輸入靜態電流

        (通態)[3]

        IQ(ON)典型值(μA)

        當VIN=5V時

        140

        當VIN=12V時

        185

        待機電流(關斷)

        IQ(OFF)最大值(μA)

        當VIN=5V,Ta=-40℃至85℃時

        0.5

        當VIN=12V,Ta=-40℃至85℃時

        0.9

        柵極驅動電壓

        (VGATE1-VIN

        (VGATE2-VIN

        VGS最小值/典型值/最大值(V)

        當VIN=2.7V時

        8/9.2/10

        當VIN=5V時

        9/10/11

        當VIN=9V時

        9/10/11

        當VIN=12V時

        9/10/11

        當VIN=20V時

        9/10/11

        VGS導通時間

        tON典型值(ms)

        當VIN=5V時,

        CGATE1,2=4000pF

        2.9

        VGS關斷時間

        tOFF典型值(μs)

        VIN=5V,

        當CGATE1,2=4000pF時

        52

        OVLO VGS關斷時間

        tOVP典型值(μs)

        當CGATE1,2=4000pF時

        34

        庫存查詢與購買

        在線購買

        注:

        [1] 1.2mm×0.8mm

        [2] 在MOSFET柵極驅動IC中。截至2022年2月的東芝調查。

        [3] 不含控制端電流(ICT)。



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