納微半導體推出全球首款智能GaNFast氮化鎵功率芯片，GaNSense新技術登場

氮化鎵（GaN）功率芯片的行業領導者納微半導體（Navitas Semiconductor）近日宣布推出新一代采用GaNSense技術的智能GaNFast氮化鎵功率芯片。GaNSense技術集成了關鍵、實時、智能的傳感和保護電路，進一步提高了納微半導體在功率半導體行業領先的可靠性和穩健性，同時增加了納微氮化鎵功率芯片技術的節能和快充優勢。

氮化鎵（GaN）是下一代半導體材料，氮化鎵器件的開關速度比傳統的硅器件快20倍，在尺寸和重量減半的情況下，可實現高達3倍的功率和3倍的充電速度。納微半導體的GaNFast?氮化鎵功率芯片集成了氮化鎵器件和驅動以及保護和控制功能，提供簡單、小型、快速和高效的性能表現。

GaNSense技術集成了對系統參數的實時、準確和快速感應，包括電流和溫度的感知。這項技術實現了正在申請專利的無損耗電流感應能力。與前幾代產品相比，GaNSense 技術可額外提高10%的節能效果，并能夠進一步減少外部元件數量，縮小系統的尺寸。此外，如果氮化鎵功率芯片識別到有潛在的系統危險，該芯片將迅速過渡到逐個周期的關斷狀態，以保護器件和周圍系統。GaNSense技術還集成了智能待機降低功耗功能，在氮化鎵功率芯片處于空閑模式時，自動降低待機功耗，有助于進一步降低功耗。這對越來越多積極追求環保的客戶來說尤為重要。

憑借業界最嚴格的電流測量精度和GaNFast響應時間，GaNSense技術縮短50%的危險時間，危險的過電流峰值降低50%。GaNFast氮化鎵功率芯片單片集成提供了可靠的、無故障的操作，沒有 "振鈴"，從而提高了系統可靠性。

納微半導體聯合創始人兼首席運營官/首席技術官Dan Kinzer表示：“從檢測到保護只需30納秒，GaNSense技術比分立式的氮化鎵功率芯片的實現方案快 600%。納微半導體下一代采用GaNSense技術的GaNFast氮化鎵功率芯片產品，對潛在的系統故障模式提供了高度準確和有效的防護。再加上對高達800V的瞬態電壓的免疫力以及嚴格的柵極波形控制和電壓調節，這些功能只有通過我們專有的工藝設計套件才能實現，重新定義了功率半導體中可靠性、堅固性和性能的新標準。”

采用 GaNSense 技術的新一代納微 GaNFast 氮化鎵功率芯片有十個型號，他們都集成了氮化鎵功率器件、氮化鎵驅動、控制和保護的核心技術，所有產品的額定電壓為650V/800V，具有2kV ESD保護。新的GaNFast功率芯片的RDS(ON)范圍為120至450毫歐，采用5 x 6 mm或6 x 8 mm PQFN封裝，具有GaNSense保護電路和無損電流感應。作為納微第三代氮化鎵功率芯片，針對現代電源轉換拓撲結構進行了優化，包括高頻準諧振反激式（HFQR）、有源鉗位反激式（ACF）和PFC升壓，這些都是移動和消費市場內流行的提供最快、最高效和最小的充電器和適配器的技術方法。

目標市場包括智能手機和筆記本電腦的快充充電器，估計每年有20億美元的氮化鎵市場機會，以及每年20億美元的消費市場機會，包括一體機、電視、家庭網絡和自動化設備。GaNSense技術已被用于部分一線消費電子品牌的氮化鎵充電器上。

到目前為止，已經有超過3000萬顆納微GaNFast氮化鎵功率芯片出貨，在現場測試實現了超過1160億個設備小時，并且沒有任何關于GaN現場故障的報告。與傳統的硅功率芯片相比，每顆出貨的GaNFast氮化鎵功率芯片可以減少碳足跡 4-10 倍，可節省4千克的二氧化碳排放。

采用GaNSense技術的新一代納微GaNFast功率芯片將在以下活動中公開展示。

●   11月8日: WiPDA 2021演講（線上），演講人：納微半導體首席運營官/首席技術官和聯合創始人，Dan Kinzer

●   11月14日: 中國電源學會第二十四屆學術年會的納微半導體衛星會議(上海，線下)，演講人 納微半導體應用工程總監，黃秀成博士

●   11月18日: PSMA電力技術路線圖演講（線上），演講人：納微半導體首席運營官/首席技術官和聯合創始人，Dan Kinzer

采用GaNSense技術的新一代GaNFast氮化鎵功率芯片已開始批量生產，并可立即供貨。新的GaNSense技術的全部技術細節，包括數據表、鑒定數據、應用說明和樣品，可在簽署保密協議后提供給客戶合作伙伴。