Vishay推出新型650 V SiC肖特基二極管，提升高頻應用能效

日前，Vishay Intertechnology, Inc.近日宣布，推出十款新型650 V 碳化硅（SiC）肖特基二極管 。Vishay Semiconductors器件采用混合PIN Schottky（MPS）結構設計，通過降低開關損耗提升高頻應用能效，不受溫度變化的影響—從而使二極管能夠在更高的溫度下工作。

日前發布的MPS二極管可屏蔽肖特基勢壘產生的電場，減少漏電流，同時通過空穴注入提高浪涌電流能力。與硅肖特基器件相比，新型二極管處理電流相同的情況下，正向壓降僅略有上升，堅固程度明顯提高。

器件適用于服務器、電信設備、UPS和太陽能逆變器等應用領域的功率因數校正（PFC）續流、升降壓續流和LLC轉換器輸出整流，為設計人員實現系統優化提供高靈活性。二極管采用2L TO-220AC和TO-247AD 3L封裝，額定電流為4 A~40 A，可在+175 °C高溫下工作。

新型SiC二極管現可提供樣品并已實現量產，供貨周期為10周。