國產14nm爆發：產能年底提升400% 或年內試產7nm

作為中國半導體行業最薄弱但也是最重要的環節，芯片工藝一直是國內的痛點，所以國內最大的晶圓代工廠中芯國際任重而道遠。此前中芯國際已經表態14nm工藝已經試產，今年就會迎來一輪爆發，年底的產能將達到目前的3-5倍，同時今年內還有可能試產更先進的7nm工藝。

中芯國際的14nm工藝從2015年開始研發，已經進行了多年，在2019年就已經解決技術問題了，之前有報道援引中芯國際高管的表態，稱14nm工藝的良率已經達到了95%，技術成熟度還是很不錯的。

不過良率達標之后，大規模量產還是個一道坎，這個過程需要有14nm工藝客戶的支持，精英代工是看客戶需求的，客戶需求高，產能才有可能建設的更大。在這一點上，中芯國際相比臺積電、三星是有劣勢的，后兩家的14nm同級工藝都已經過了折舊期了，成本優勢明顯，中芯國際只能依靠國內的客戶。

截至2019年底，中芯國際的14nm產能據悉只有3000到5000晶圓/月，不過2020年14nm產能會增長很快，年底的時候將達到15000片晶圓/月，是目前的3-5倍，最多能增長400%。

14nm之后還有改進型的12nm FinFET工藝，根據中芯國際之前介紹，該工藝相比14nm晶體管尺寸進一步縮微，功耗降低20%、性能提升10%，錯誤率降低20%，預計今年上半年就會貢獻收入。

再往后中芯國際表示還會有N+1及N+2代FinFET工藝，其中今年內有望小規模量產N+1代工藝。

只是中芯國際沒有明確這里的N指代的是哪種工藝，考慮到他們很有可能會跳過10nm工藝節點，那么N+1代應該就是7nm節點了，意味著我們今年就有可能看到國產的7nm工藝。

即便中芯國際不跳過10nm節點，那么今年國內的工藝也能追趕到10nm節點，跟臺積電、三星還是會落后一到兩代，但是已經足夠先進了。