Intel繼續“打磨”22nm工藝 生產超強壽命RRAM芯片

隨著Intel在本月開始出貨10nm工藝處理器，Intel在先進半導體工藝上將轉向14nm為主、10nm加速量產及推進7nm落地。除了這些工藝之外，Intel之前還有一些工廠是生產22nm工藝的，它們也不可能完全淘汰或者升級到7nm，所以2017年Intel推出了22FFL工藝。

22FFL是Intel結合22nm及14nm FinFET工藝開發的一種改良版工藝，FFL中的L代表Low Leakage，漏電流更低，指標位于兩種工藝之間，晶體管密度為1880萬晶體管/平方毫米，略好于22nm工藝，但它的優勢在于功耗低，成本也低，畢竟22nm工藝量產這么多年了。

22FFL工藝不會用來生產先進處理器了，但它會在別的芯片上找到自己的位置，此前Intel宣布使用22FFL工藝生產了MRAM（磁阻RAM），現在VLSI 2019大會上，Intel又提到了22FFL工藝已經準備好生產RRAM（可變電阻RAM）。

不論是MRAM還是RRAM芯片，它們的特性都是超強性能，延遲堪比內存，而且是超長壽命及可靠性，寫入次數都是上萬次起的，耐高溫，壽命長達10多年，但是現在的問題就是這些芯片的容量都很低，通常是256Mb、512Mb，有些能上到1Gb左右，反正相比常規的RAM及NAND還差很遠。