新聞中心

        EEPW首頁 > 模擬技術 > 設計應用 > MOSFET的驅動技術及應用

        MOSFET的驅動技術及應用

        作者: 時間:2018-09-04 來源:網絡 收藏

        本文引用地址:http://www.104case.com/article/201809/388426.htm

        其實上管Q1驅動的供電在于 Cboot。

        看下圖,芯片的內部結構:

        Cboot是掛在boot和LX之間的,而LX卻是下管的D級,當下管導通的時候,LX接地,芯片的內部基準通過Dboot(自舉二極管)對Cboot 充電。當下管關,上管通的時候,LX點的電壓上升,Cboot上的電壓自然就被舉了起來。這樣驅動電壓才能高過輸入電壓。

        當然芯片內部的邏輯信號在提供給驅動的時候,還需要Level shift電路,把信號的電平電壓也提上去。

        Buck電路,現在有太多的控制芯片集成了自舉驅動,讓整個設計變得很簡單。但是對于,雙管的,橋式的拓撲,多數芯片沒有集成驅動。那樣就可以外加自舉驅動芯片,48V系統輸入的,可以采用Intersil公司的ISL21XX,HIP21XX系列。如果是AC/DC中,電壓比較高的,可以采用IR的 IR21XX系列。

        下圖是ISL21XX的內部框圖。



        關鍵詞:

        評論


        相關推薦

        技術專區

        關閉
        主站蜘蛛池模板: 怀来县| 和静县| 闽清县| 永昌县| 台安县| 广汉市| 黑龙江省| 和田市| 陈巴尔虎旗| 临夏县| 高安市| 巴马| 千阳县| 吐鲁番市| 汕尾市| 郧西县| 瑞安市| 建阳市| 洛阳市| 张家口市| 大安市| 青龙| 治县。| 奉贤区| 新津县| 萍乡市| 彰化县| 秭归县| 彭水| 分宜县| 阜宁县| 兴文县| 苏尼特右旗| 大新县| 手游| 勃利县| 淮南市| 监利县| 襄城县| 衡阳市| 从化市|