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        MOSFET的驅(qū)動(dòng)技術(shù)及應(yīng)用

        作者: 時(shí)間:2018-09-04 來(lái)源:網(wǎng)絡(luò) 收藏

        本文引用地址:http://www.104case.com/article/201809/388426.htm

        結(jié)論:驅(qū)動(dòng)電阻到底選多大?還真難講,小了,EMI不好,大了,效率不好。

        所以只能一個(gè)折中的選擇了。

        那如果,開通和關(guān)斷的速度要分別調(diào)節(jié),怎么辦?就用以下電路。

        MOSFET的自舉驅(qū)動(dòng)。

        對(duì)于NMOS來(lái)說,必須是G極的電壓高于S極一定電壓才能導(dǎo)通。那么對(duì)于對(duì)S極和控制IC的地等電位的MOS來(lái)說,驅(qū)動(dòng)根本沒有問題,如上圖。

        但是對(duì)于一些拓?fù)洌热鏐UCK(開關(guān)管放在上端),雙管正激,雙管反激,半橋,全橋這些拓?fù)涞纳瞎埽蜎]辦法直接用芯片去驅(qū)動(dòng),那么可以采用自舉驅(qū)動(dòng)電路。

        看下圖的BUCK電路:

        加入輸入12V,MOS的導(dǎo)通閥值為3V,那么對(duì)于Q1來(lái)說,當(dāng)Q1導(dǎo)通之后,如果要維持導(dǎo)通狀態(tài),Q1的G級(jí)必須保證15V以上的電壓,因?yàn)镾級(jí)已經(jīng)有12V了。

        那么輸入才12V,怎么得到15V的電壓呢?



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