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        MOSFET的驅動技術及應用

        作者: 時間:2018-09-04 來源:網絡 收藏

        其核心的東西,就是紅圈里的boot二極管,和Level shift電路。

        本文引用地址:http://www.104case.com/article/201809/388426.htm

        ISL21XX驅動橋式電路示意圖:

        驅動雙管電路:

        驅動有源鉗位示意圖:

        當然以上都是示意圖,沒有完整的外圍電路,但是外圍其實很簡單,參考datasheet即可。

        ISL21XX驅動橋式電路示意圖:

        驅動雙管電路:

        驅動有源鉗位示意圖:

        當然以上都是示意圖,沒有完整的外圍電路,但是外圍其實很簡單,參考datasheet即可。

        自舉電容主要在于其大小,該電容在充電之后,就要對MOS的結電容充電,如果驅動電路上有其他功耗器件,也是該電容供電的。所以要求該電容足夠大,在提供電荷之后,電容上的電壓下跌最好不要超過原先值的10%,這樣才能保證驅動電壓。但是也不用太大,太大的電容會導致二極管在充電的時候,沖擊電流過大。

        對于二極管,由于平均電流不會太大,只要保證是快速二極管。當然,當自舉電壓比較低的時候,這個二極管的正向壓降,盡量選小的。

        電容沒什么,磁片電容,幾百n就可以了。但是二極管,要超快的,而且耐壓要夠。電流不用太大,1A足夠。

        隔離驅動。當控制和MOS處于電氣隔離狀態下,自舉驅動就無法勝任了,那么就需要隔離驅動了。下面來討論隔離驅動中最常用的,變壓器隔離驅動。

        看個最簡單的隔離驅動電路,被驅動的對象是Q1。



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