- 正在美舉辦的Flash Memory Summit首日已經結束，亮點頗多。 Keynote環節，倒數第二個出場(排在我國的長江存儲前)的是SK海力士，它在NAND市場的全球份額排名第五，DRAM份額全球第二。 首先是3D NAND的技術路線選擇，SK海力士稱，CTF(Charge Trap Flash，電荷捕獲型)比Floating Gate(浮柵型)存儲單元面積更小、速度更快、更耐用(P/E次數多)。 其實三星從2013年的第一代V-NAND 3D閃存就開始使用CTF了，東芝/西數(閃迪)的B
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SK海力士 4D閃存
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