信號完整性（一）：PCB走線中途容性負載反射

首先按看一下對信號發射端的影響。當一個快速上升的階躍信號到達電容時，電容快速充電，充電電流和信號電壓上升快慢有關，充電電流公式為：I=C*dV/dt。電容量越大，充電電流越大，信號上升時間越快，dt越小，同樣使充電電流越大。

我們知道，信號的反射與信號感受到的阻抗變化有關，因此為了分析，我們看一下，電容引起的阻抗變化。在電容開始充電的初期，阻抗表示為：

這里dV實際上是階躍信號電壓變化，dt為信號上升時間，電容阻抗公式變為：

從這個公式中，我們可以得到一個很重要的信息，當階躍信號施加到電容兩端的初期，電容的阻抗與信號上升時間和本身的電容量有關。

通常在電容充電初期，阻抗很小，小于走線的特性阻抗。信號在電容處發生負反射，這個負電壓信號和原信號疊加，使得發射端的信號產生下沖，引起發射端信號的非單調性。

對于接收端，信號到達接收端后，發生正反射，反射回來的信號到達電容位置，那個樣發生負反射，反射回接收端的負反射電壓同樣使接收端信號產生下沖。

為了使反射噪聲小于電壓擺幅的5%(這種情況對信號影響可以容忍)，阻抗變化必須小于10%。那么電容阻抗應該控制在多少?電容的阻抗表現為一個并聯阻抗，我們可以用并聯阻抗公式和反射系數公式來確定它的范圍。對于這種并聯阻抗，我們希望電容阻抗越大越好。假設電容阻抗是PCB走線特性阻抗的k倍，根據并聯阻抗公式得到電容處信號感受到的阻抗為：

阻抗變化率為：

，即

，也就是說，根據這種理想的計算，電容的阻抗至少要是PCB特性阻抗的9倍以上。實際上，隨著電容的充電，電容的阻抗不斷增加，并不是一直保持最低阻抗，另外，每一個器件還會有寄生電感，使阻抗增加。因此這個9倍限制可以放寬。在下邊的討論中假設這個限制是5倍。

有了阻抗的指標，我們就可以確定能容忍多大的電容量。電路板上50歐姆特性阻抗很常見，我就用50歐姆來計算。

得出：

即在這種情況下，如果信號上升時間為1ns，那么電容量要小于4皮法。反之，如果電容量為4皮法，則信號上升時間最快為1ns，如果信號上升時間為0.5ns，這個4皮法的電容就會產生問題。

這里的計算只不過是為了說明電容的影響，實際電路中情況十分復雜，需要考慮的因素更多，因此這里計算是否精確沒有實際意義。關鍵是要通過這種計算理解電容是如何影響信號的。我們對電路板上每一個因素的影響都有一個感性認識后，就能為設計提供必要的指導，出現問題就知道如何去分析。精確的評估需要用軟件來仿真。

總結：

1、PCB走線中途容性負載使發射端信號產生下沖，接收端信號也會產生下沖。

2、能容忍的電容量和信號上升時間有關，信號上升時間越快，能容忍的電容量越小。