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        上演第二梯隊大逆襲 武漢存儲產業隱現“國家隊效應”

        作者: 時間:2018-01-18 來源:21世紀經濟報道 收藏

          武漢東湖高新區未來三路與高新大道交匯處,一個被稱為“黃金大道”的T字形結構的芯屏組合的產業聚集區已悄然形成。而這其中的“1號工程”正是在中國存儲器產業已掀起“巨浪”的長江存儲科技責任有限公司(以下簡稱“長江存儲”)。

        本文引用地址:http://www.104case.com/article/201801/374591.htm

          2018年1月17日,陰冷兩天的武漢再度放晴,而長江存儲的一期工廠已經竣工,已然組建的研發團隊正在東湖高新區(以下簡稱“高新區”)的另一處辦公地址加緊推進研發工作。

          “最初,武漢競爭長江存儲項目的時候,國內與武漢競爭的省市并不多。”1月11日,武漢東湖國家自主創新示范區半導體產業辦公室謝齊威感慨地說道,如今,國家大基金二期募資啟動,諸多地區開始爭搶申報相關項目,通過大基金和大項目拉動中國產業的局面終于被打開,而產業也將呈現出蓬勃發展的局面。

          作為存儲器領域唯一“國家隊”代表的長江存儲,正在按照自己的研發節奏逐步推進,而在高新區內,也正謀求形成由點到線再到面的存儲器產業格局。“我們要將現在的幾棵參天大樹,培育成廣茂森林。”謝齊威表示,也正是因為如此,東湖高新區已設立了半導體產業辦公室。

          “謀劃”良久的巧合

          在全國很多地區看來,長江存儲落戶武漢是一個偶然,但在很多產業專家和熟悉光谷的人眼中,這并不是一個巧合。

          2001年,東湖高新區被原國家計委、科技部批準為國家光電子產業基地,即“武漢·中國光谷”,而當時高新區的產業以激光和光通信為典型代表。

          時任高新區管委會主任的唐良智帶隊在全球范圍內考察,欲開啟高新區的“二次創業”之路,如何確立高新區在21世紀的發展思路?這是一個需要全盤思考的課題。

          彼時的美國已進入移動互聯時代,“這會代表中國未來的發展方向”,基于這種判斷,高新區也計劃朝此領域開拓,“移動互聯有四個產業鏈,即芯片、面板、智能終端和通信,”湖北一位知情人士表示,當時高新區在這一產業是一窮二白,最終的思路是:每個鏈條引進一個龍頭企業形成龍頭效應,拉動產業發展,最終串起移動互聯的產業鏈條。

          在這種布局下,高新區引進臺資企業富士康,后續成立武漢新芯。

          “自己做存儲器產業,我們沒有團隊。”上述人士說,2005年前后,經過談判后高新區出資成立武漢新芯,引進中芯國際對前者進行托管。并明確武漢新芯以代碼型閃存和圖像傳感器作為發展方向。

          發展思路確定后,武漢新芯在2006年正式開工建設,經過了廠房建設、進設備、爬產能周期后,2008年,產品才正式上市。

          但生不逢時,按照存儲器行業的摩爾定律,此時的全球存儲器行業進入低潮期,當時的武漢新芯也被市場環境拖累,難以開拓市場。

          此時按產業的分類,全國的產業格局呈現“三超多強”。即北京、上海、深圳為“三超”,蘇州、無錫、成都、西安、武漢為“多強”。上述人士回憶,當時北上深依托“中芯國際”和“海思”成為三強。而無錫、上海一帶則有908、902工程作依托,成都有封測產業,西安還有三星的制造業基地,武漢則憑借著武漢新芯成為多強之一。

          在國際競爭格局上,無論是內存還是閃存產品,基本均被韓國、日本、美國等國壟斷。其中在領域,三星、海力士及美光(它于2012年兼并日本的爾必達)為行業龍頭,在NAND領域,也由三星、東芝、新帝,海力士以及美光、英特爾共同掌握全球產品的話語權。

          反觀中國,企業在存儲領域既沒有技術優勢,也沒有生產規模,每年進口的芯片金額高達2500億美元,在主流與和NAND Flash芯片的制造上是零。“在存儲器產業中,韓美日廠商幾乎壟斷了全球存儲器市場。”上述人士也表示無奈。

          存儲器行業內流傳的讓人印象深刻卻又百般難受的段子是:在中國3C領域風光十足的國內智能終端廠商也受制于三星,“這些廠商領導人曾親自前往韓國采購芯片,但最終只拿到少量訂單,有的還拿不到訂單。”上述人士回憶,中國存儲器產業長期受制于人的局面一直無法得到改善。核心技術的落后成為產業發展的桎梏,無論是產業需求還是軍事戰略,存儲器產品的國產化迫在眉睫。

          大基金項目角逐始末

          2014年,這種局面終于有了突破。

          當年6月,《國家產業發展推進綱要》公布,中國計劃徹底改善在半導體產業的被動局面。同年9月,國家大基金成立,首次以基金來推動半導體產業發展,其中存儲器產業基地是大基金的一個重要投資方向,而培育至少一個擁有自主知識產權的存儲器項目的目標也已經明確。

          此時武漢新芯的局面雖未大幅改善,但湖北省和武漢市仍在堅持,這也為國家保留了一個自主知識產權發展存儲器產業的“火種”。全國范圍內,當時符合大基金投資存儲器產業基地的省份也并不多。上述人士也表示,“最初,參與報名競標大基金項目的省份并不多,湖北算是很積極的一個,但競標的關鍵在于方案。”

          為了爭取這一項目,“湖北省、武漢市和高新區均成立專班,各級政府也將該項目列為一號工程,每日跟進項目進度。”作為其中的參與者之一,謝齊威也親歷了這一過程。

          但方案的修改和調整則是一個高強度、周期長且反復的過程。

          “2015年年中,全國多地也列入候選名單。”謝齊威說,2015年8月18日晚上6點左右,就這一項目的申報,湖北省召開省委常委會,其中有6個省委常委參會,這在湖北省的行政辦公體系中十分少見。如此高級別的會議的結論是:必須以年產30萬片產能的方式予以申報,“只有達到這個產能,才能具備參與全球競爭格局的基礎”。此外,還確定“國家戰略、湖北申報、武漢實施、高新區執行”的落實措施。

          一個多小時的會議開完后,湖北省政府分管領導親自帶隊趕赴北京,準備遞交方案。“方案需要先報給部里,部里征集的集成電路專家組對方案進行審核,經通過后才能上報國務院審核。”謝齊威說,當時的專家組成員就有10人,在2天的時間里,申報團隊跑了4個相關部委,此外,還逐一拜訪了專家組成員。

          高強度的上門拜訪,讓方案先后經歷了30多輪的修改,到2015年年底,方案正式遞交給國務院,而此時,其他省份陸續放棄了申報。前期工作的準備到位,讓這一決策更加高效,到2016年2月,武漢的申報方案即正式獲批。

          此后的落實過程中,效率仍然十分重要。時隔4個月后,即2016年8月,國家大基金、紫光集團和湖北省政府擔綱股東,就共同出資成立長江存儲科技有限責任公司,作為國家存儲器基地項目實施主體。

          當前,國家大基金已啟動二期募資,計劃募集資金1500億-2000億元。其中,存儲器產業仍然是一個重點的投資方向。“如今,全國各地對集成電路產業的投資熱情明顯提速。”謝齊威說,長江存儲的成立已帶動了全國集成電路產業的發展,也掀起了各地投資熱潮,投資熱潮的背后,則承載了國家集成電路產業“彎道超越”的期望。



        關鍵詞: 集成電路 DRAM

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