協同創新 推動中國集成電路封測業發展

　　2017年7月25日，中國半導體行業協會集成電路分會秘書長、國家集成電路封測產業鏈技術創新戰略聯盟秘書長于燮康在《第十一屆中國半導體行業協會半導體分立器件年會暨2017中國半導體器件創新產品與應用及產業發展論壇》做了《協同創新，推動中國集成電路封測業發展》的主旨報告。

　　于燮康秘書長的報告共分三部分內容，第一部分回顧了中國集成電路封測業發展歷程;第二部分講述中國集成電路封測業的機遇和挑戰;第三部分提出了未來中國集成電路封測業的發展途徑--協同創新。

　　下面是根據于燮康秘書長演講內容整理而成。

　　一、中國集成電路封測業發展歷程

　　中國集成電路封測業在產業鏈中占據重要地位，在設計、芯片制造和封測三大產業中，封測業規模占比近年來一直高于國際上的普遍水平，2016年的占比達到36.1%。

　　中國集成電路封測業起步較晚，大體經歷了以下4個階段的發展過程：

　　第一階段是初創階段，大致時間是二十世紀80年代，這時期以通孔插裝式封裝為主，主要代表技術是DIP(雙列直插封裝)。于秘書長介紹說，中國的集成電路封裝是華晶電子始于1978年。

　　第二階段是重點發展階段，大致時間是二十世紀90年代，進入了表面貼裝時代，主要代表技術是SOP(小外形封裝)、QFP(四方扁平封裝)，主要特點是引腳從兩邊或四邊引出，安裝方式改插裝為表面貼裝，較插裝方式可大大提高引腳數和組裝密度;這時期產業規模總體較小。

　　第三階段是全面快速發展階段，大致時間是二十一世紀初，在2006年之前，國內封測業已開始研究以焊球代替引腳和面陣列形式分布的表面貼裝技術，主要代表技術是球柵陣列封裝BGA和多芯片封裝MCP等，在2006年至2010年期間，QFN、BGA、CSP等多項技術實現量產，與之前相比，封裝技術有較大突破，產業規模已顯著擴大，長電科技于2009年初次躋身全球十大封測業之列。

　　第四階段是2011年至今的跨越式發展階段，這一時期的技術特征是高密度和小型化，主要代表技術有晶圓級芯片尺寸封裝(WLCSP)、倒裝球焊陣列封裝(FCBGA)，特別是隨著芯片特征尺寸已接近物理極限，原依靠減小特征尺寸來提高封裝密度的方法遇到瓶頸的情況下，以3D封裝、2.5D硅通孔為代表的封裝技術應運而生，成為近年來封測業的一個技術亮點，總體技術水平與國際水平進一步縮小差距，部分封裝技術已處于國際領先水平。

　　根據法國YOLE的研究數據表明，長電科技在先進封裝制程方面以7.8%的份額排名全球第三，僅次于英特爾和矽品精密。

　　據封測聯盟提供的2010年-2016年中國集成電路封測業的銷售規模數據可以看出，中國集成電路封測產業得到快速發展，自2011年起的6年，銷售收入比2010年增長了1.5倍，CAGR為16.39%。

　　于燮康秘書長表示，對國內外先進封裝工藝技術水平比較而言，目前國內集成電路三大先進封裝技術：SIP系統級封裝(長電、華天)、WLP晶園級封裝(長電、晶方)、FC倒裝(長電、通富)封裝技術均己具備并取得突破, 技術能力與國際先進水平基本接近，先進封裝占比約20%, 但國內封裝業總體仍以傳統的中低端封裝為主，其封裝形式如SOP(SSOP、TSOP)、QFP(LQFP、TQFP)、QFN/DFN等。預計未來對高端先進封裝技術的需求將愈來愈多。

　　從封測聯盟公布的《中國集成電路封測產業技術發展路線圖》可以看出，我國在封裝類型方面已經非常齊全。

　　從產業規模來看，多年來國內封測產業發展速度高于國際封測業整體發展的速度，但總體的封裝技術水平與國際水平還存在不小的差距。

　　晶圓級封裝(WLP)技術方面，國內主要采用 Fan-in技術，主要量產WLCSP產品;剛開始Fan-out的小規模量產，海外技術發展多樣化，Fan-in、Fan-out、embedded WLP以及晶圓級3D堆疊封裝技術已經成熟。

　　倒裝(FC)技術方面，國內企業全部是采用傳統的mass reflow技術。海外企業已經量產TCB鍵合的FC封裝技術。國內本土企業組裝芯片尺寸，還沒有超過20x20mm的芯片。國外企業在貼裝精度和穩定性方面有優勢，例如環球儀器對于倒裝芯片裝配的設備解決方案，兼顧了高速和高精度的特點。

　　PoP封裝技術。目前國內還沒有實現先進PoP封裝的量產;部分外企在量產Bare Die的PoP封裝，海外已經在采用先進的Substrate Interposer技術。

　　TSV(2.5D/3D)技術。國內TSV的應用主要是CMOS Image Sensor的封裝，屬于比較低端初級的TSV技術;高端TSV的應用，國內企業正處于研發階段，國際上，臺積電、三星、日月光等國際大公司已具備10微米孔徑達到10:1的深寬比的能力。