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        中微半導體成唯一進入臺積電 7nm 制程的大陸本土設備商

        作者: 時間:2017-07-20 來源:集微網 收藏

          因10nm制程遭遇前所未有的挑戰,故全球半導體產業紛紛將重要資源投入在7nm制程上,臺積電、三星、GlobalFoundries、英特爾均已開始布局。據臺媒報道,目前臺積電的7nm布局最積極,近期臺積電更是轉變了7nm制程設備的采購策略,將應用材料(AppliedMaterials)、科林研發(LAM)、東京威力科創(TEL)、日立先端(Hitach)、半導體5大設備商均納入采購名單,致力平衡7nm制程設備商生態價格。

        本文引用地址:http://www.104case.com/article/201707/361971.htm

          值得注意的是,半導體是唯一進入臺積電7nm制程蝕刻設備的大陸本土設備商。據悉,與臺積電在28nm制程時便已開始合作,并一直延續到10nm制程,以及現在的7nm制程。未來,中微也將與臺積電跨入下一世代5nm合作。此外,中微也將與聯電展開14nm工藝制程的合作。

          為符合大陸半導體設備國產化的政策目標,2016年,有兩家大陸半導體設備商獲得國家集成電路產業基金(大基金)投資。其中一家便是中微半導體,獲得4.8億元投資;另一家是上海微電子設備(SMEE)。

          今年4月,中微半導體CEO尹志堯在公共場合表示,目前中微半導體在全球各地已經建置共計582臺刻蝕反應臺,并預期今年將增長至770臺。目前中微半導體產品已經進入第三代10nm、7nm工藝,并進入晶圓廠驗證生產階段,即將進入下一世代5nm、甚至3.5nm工藝。

          據尹志堯透露,過去幾年公司銷售維持30-35%增長率,預期2017年增長率將達到80%。2017年,中微銷售將達11億元人民幣,在此基礎上,未來十年將持續開發新產品,擴大市場占有率,中微的目標是:2020年20億元、2050年50億元,并進入國際五強半導體設備公司。

          目前,中微有460多個介質刻蝕反應臺,并在海內外27條生產線上生產了約4000多萬片晶圓;同時,中微還開發了12英寸的電感型等離子體ICP刻蝕機;此外,中微還開發了8英寸和12英寸TSV硅通孔刻蝕設備,不僅占有約50%的國內市場,而且已進入臺灣、新加坡、日本和歐洲市場,尤其在MEMS領域擁有意法半導體(ST)、博世半導體(BOSCH)等國際大客戶。

          在專利方面,中微共申請了超過800件相關專利,其中絕大部分是發明專利,目前有一半以上已獲授權。



        關鍵詞: 中微 7nm

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