三星/SK海力士擴產加速 正奮力追趕的中國存儲產業還有戲嗎？

　　據The Investor網站北京時間4月12日報道，三星電子將從7月份開始運營位于韓國京畿道平澤市的新半導體工廠。新設施是全球規模最大的芯片工廠，占地289萬平方米。三星將在該工廠量產第四代3D NAND閃存芯片，該芯片垂直堆疊達到64層。

　　據《首爾經濟新聞》報道，三星已要求合作伙伴在5月底之前供應必要的芯片制造設備。

　　消息稱，一開始，新工廠的產量將較為有限，需要幾年時間才能全面運轉。三星預計將于今年開始在這一芯片制造綜合體運營，但是尚未正式宣布具體時間表。

　　新工廠從2015年開始建造，耗資15.6萬億韓元(約合136億美元)。平面和垂直NAND閃存芯片的總產能預計將達到每月45萬片晶圓，3D NAND閃存芯片將占據一半以上。

　　三星目前是全球最大的NAND閃存芯片制造商。市場研究公司IHS Markit發布的報告顯示，三星去年在NAND閃存芯片市場的份額從2015年的32%增長到了36.1%。

　　在三星擴產的同時，來自南韓的SK海力士也在日前宣布，研發出全球首款256Gb的第4代72層3D NAND Flash，預計下半年量產。

　　南韓雙雄，一個在先進技術上走得越來越快，一個在產能上越鋪越大，正在奮力追趕的中國存儲產業還有戲么?

　　困于技術和產業鏈差距，中國半導體在很長的一段時間會處于落后的追趕階段。但業內認為，我們應該保持積極的態度，持續推進自己的產品建設，一步一個腳印，借助于我們龐大的市場，終有一日會實現并駕齊驅，甚至反超的。從目前看，我們已經跨出了重要一步。

　　據報導指出，消息人士表示，目前擔任長江存儲技術公司全球執行副總裁的華亞科前董事長高啟全指出，現階段長江存儲正致力于開發自己的存儲產品。計劃在2017 年底開始對客戶提供32 層堆疊3D NAND Flash 快閃存儲的樣品，然后繼續往開發64 層堆疊3D NAND Flash 的產品邁進。中間一些需要解決的技術問題，除了自己攻克之外，還需要向外尋找例如美光這樣的合作伙伴，進一步解決。

　　3D NAND完成實驗室研發只是一小步，后續的大規模量產才是關鍵。

　　Digitimes報道稱長江存儲科技CEO楊士寧表示3D閃存工廠的生產裝備將在2018年Q1季度完成安裝，2019年則會完全量產。該公司的目標是在2020年時技術上達到國際領先的存儲芯片供應商的水平。

　　楊士寧表示了NAND閃存市場需求正在被云計算、智能終端所推動，同時中國市場也具有極大的發展潛力。

　　不論是DRAM內存還是NAND閃存市場，目前都被極少數廠商所統治，楊士寧表示長江存儲科技希望打破少數公司對市場的壟斷，該公司進入市場將為業界帶來良性競爭。

　　中國市場消耗了全球55%的存儲芯片產能，楊士寧稱在強大的市場需求及中國政府的財政支持下，長江存儲科技公司將增強對現有幾家存儲芯片公司的競爭力。

　　要想獲得長久的成功，擁有自己的核心是技術也是非常關鍵的，長江存儲科技公司目前就在這么做。楊士寧稱收購或者戰略投資也是該公司實現增長的另一個選擇。