三星為高通背書 10納米增產順利

　　10nm制程良率普遍不佳的問題持續在全球半導體產業鏈發酵，對此三星表示，目前10nm FinFET制程良率穩定、增產順利，且第一代10nm LPE累積出貨7萬片。而采用三星10nm制程的高通驍龍835似乎依然備受手機廠商歡迎，2017年上半年幾乎橫掃全球各大旗艦手機品牌機型。

　　三星為高通背書 10納米增產順利

　　集微網此前報道稱，高通新一代驍龍835芯片平臺，在2017年上半年幾乎橫掃全球各大旗艦手機品牌機型，其中包括三星S8 、OPPO Find 9、小米6、Moto Z二代、一加5、諾基亞8等。由于聯發科Helio X30要到第2季才量產交貨，高通趁勢擴大訂單量，持續拉升驍龍835的市場優勢。

　　高通在2017國際消費電子展(CES)上重磅推出了驍龍835。驍龍835采用了三星10nm FinFET制造工藝，它不僅是全球首款采用10納米FinFET工藝節點實現商用制造的移動平臺，也是業界第一顆在10納米工藝水平上達到量產水平的芯片。

　　據悉，三星在2016年10月啟動第一代10nm FinFET LPE(Low Power Early)制程量產后，至今已出貨7萬片。不僅高通驍龍835采用三星10nm制造工藝，三星自家的Exynos 8895處理器也采用此工藝。

　　三星電子執行副總裁Jongshik Yoon表示，除了10nm LPE之外，三星還將于2017年底與2018年初陸續發表10nm第二代LPP(Low Power Performance)版和第三代LPU(Low Power Ultimate)版，性能與功耗都將比第一代LPE優異。

　　此外，三星還將在5月24日于美國舉行三星晶圓代工論壇(U.S Samsung Foundry Forum)，屆時將公布分別以10nm與7nm技術為基礎的8nm、6nm制程技術藍圖。據了解，目前三星的10nm技術采用多重曝光(Multiple Patterning)，而7nm技術將準備采用極紫外光(EUV)顯影設備。

　　盡管10nm制程良率普遍不佳問題持續在全球半導體產業鏈發酵，但是高通依然備受手機廠商歡迎，不僅新客戶接單量頻創新高，甚至舊客戶對于驍龍835芯片平臺的滿意度也明顯提升，預計第2季度高通將大量交貨。2016年高通芯片出貨量8.4億顆，收入超過150億美元。

　　高通壓力仍在 英特爾和三星紛紛推出4G基帶芯片

　　雖然目前在智能手機領域，高通幾乎占領著霸主地位，但是高通也須時刻警惕競爭對手們的不斷追趕。在2017年世界移動通訊大會(MWC)登場前夕，英特爾和三星就分別發表了最新的4G基帶芯片，試圖挑戰高通主宰的移動芯片霸主地位。

　　英特爾宣布推出名為XMM 7560的2G/3G/4G基帶芯片，可支持最大1Gbps下載與225 Mbps上傳速度。XMM 7560采用英特爾14nm制程，比起前一代采用28nm制程的XMM 7480，以及部分iPhone 7/7-Plus使用的XMM 7360更加先進。除了最大下載速度外，XMM 7560的多重載波聚合也有大幅的提升。

　　據悉，XMM 7560是第一個可支持3G EV-DO網絡的英特爾基帶芯片，而目前包括Verizon、Sprint、中國電信等多家電信廠商都仍在使用3G EV-DO網絡。由此看來，XMM7560很有機會協助英特爾從高通手中搶下更多iPhone市場。

　　而三星即將推出的Exynos 8895將配備8核心處理器，并支持1Gbps的最大下載速度。三星Exynos 8895與高通驍龍835一樣，都采用三星最先進的10nm制程，且Exynos 8895的多重載波聚合也比前一代Exynos 8890有所提升。

　　可見三星的4G基帶技術，也將對高通造成不小的威脅。但是，高通驍龍835與三星Exynos 8895預計都將使用在三星Galaxy S8上，這可能就是高通與三星協商后的結果，因為高通選擇三星而非以往的臺積電生產其最新旗艦驍龍835芯片。

　　高通最新發表的LTE modem Snapdragon X20，擁有1.2Gbps最大下載速度與5x多重載波聚合，但要等到2018年上半年才會開始出貨，因此將不會使用在2017年推出的蘋果或三星旗艦機上。