新思科技建全球研發武漢產業園 預計2019年建成投用

　　昨日，全球領先的半導體設計公司美國新思科技，在武漢未來科技城動建全球研發武漢產業園。

　　另悉，總投資達1600億元的長江存儲器項目，也將于本月在未來科技城動工。這兩大集成電路項目，將引領湖北邁入“硅時代”。

　　新思科技武漢產業園，是除美國硅谷總部外，新思科技在全球唯一自購土地建設的產業園區，總投資5000萬美元，預計2019年建成投用。其定位為“全球化研發及集成電路設計軟件培訓基地”。

　　新思科技全球總裁陳志寬表示，近年來，中國集成電路產業發展不斷加快，在武漢建設產業園，充分顯示了新思科技對湖北市場和人才的高度重視，以及對中國集成電路產業長期增長的信心。

　　依托強大的全球研發體系，新思科技武漢產業園將開發世界級的知識產權(IP)產品以及信息安全軟件，并在光谷與硅谷之間架起一座科技互動的橋梁。對提升湖北乃至華中地區芯片設計行業競爭力、帶動產業鏈相關企業來漢布局、助力中國及亞洲地區集成電路產業快速發展，具有重要意義。

　　2012年，省委、省政府領導率團訪問新思科技總部，提出“雙城雙谷”戰略計劃。目前，新思科技已在未來科技城設有研發中心，形成IP產品、軟件與安全產品的開發與服務能力。