解析韓國半導體產業三大發展源動力

　　發展源動力

　　1. 政府推動

　　1975年，成立韓國高級科學技術研究院

　　1976年，成立韓國電子技術研究所，重要工作是進行超大規模集成電路的研究，負責半導體產業國家級科研項目的開發

　　1986年~1993年，政府實施“超大規模集成電路技術共同開發計劃”

　　1997年，政府通過“新一代半導體基礎技術開發項目”

　　下圖為韓國政府促進半導體產業發展的計劃和立法。

　　2. 產學研合作

　　在“超大規模集成電路技術共同開發計劃”的推動下，以國家電子研究所為主，三星、現代、LG等大企業參加組成半導體研究開發組織。集中人才、資金，進行從1M到64M的DRAM核心基礎技術(又稱：源泉技術)的開發。

　　3. 企業從引進到自主研發

　　為縮短與先進國的技術差距，企業積極導入國外技術，比如三星從Micro Technology與Aytrex、現代從德州儀器與Vitelic、LG從Micro Technology與AT&T進行技術的引進。

　　受益于源泉技術，16M以后的DRAM轉為以企業開發為主。1992年11月，成功開發出64M DRAM;1997年末，成功開發出256M DRAM的基礎技術和1G DRAM的先進基礎技術;2014年4月，開發出業內最早4G DRAM。

　　韓國半導體的快速發展堅持的是循序漸進的方式，引進、合作、自主融合。內部技術與外部技術的整合，是三星能迅速崛起的一個捷徑選擇。