三星18納米DRAM投產　海力士、美光面臨更大壓力

　　三星電子(Samsung Electronics)開始量產18納米DRAM，成本將可比目前的20納米再低20~30%左右。由于SK海力士(Sk Hynix)、美光(Micron)等業者的DRAM制程都還停留在20納米以上世代，三星電子未來在DRAM市場上，勢必將更具價格競爭力。

　　根據韓媒ETnews報導，存儲器半導體的價格越來越低，越快將成本壓到比下滑的市場價格更低的話，才有利潤能剩下，若降低成本的速度太慢，就會產生赤字。以目前看來，2016年美光最需擔憂的就是赤字問題，因為美光沒能成功地轉換微細制程。而三星電子能比競爭對手創造出更多利潤的原因，就是因為擁有成本競爭力的關系。

　　DRAM的價格走勢預計將持續下滑的走勢。根據市調業者DRAM eXchange的數據顯示，主要的DRAM(DDR3 4Gb 1333/1666MHz)價格從2014年11月為起點開始持續下滑。PC出貨量減少，智能型手機的出貨成長速度也變遲緩，所以預估DRAM價格的下滑趨勢將會繼續維持。專家預測，當DRAM的主力產品價格掉到1美元以下的時候，除了三星電子之外，其他業者都會有赤字發生。

　　業界相關人士表示，由于三星電子進入了18納米DRAM的量產，所以在成本競爭力上大幅超越其他競爭業者，因此即使價格繼續下滑到最糟的狀況，三星電子還是可以有利潤剩下。

　　SK海力士正在研發18納米DRAM，如果成功的話，預計2017年就可以進入量產。目前SK海力士正致力于提高20納米前段的DRAM生產比重。

　　專家認為，美光雖然宣稱已進入20納米前段的DRAM量產，但是從芯片的尺寸來看，應該還停留在25納米左右的制程，所以可能會有赤字發生的憂慮。

　　DRAM的制程還能細微到什么程度也是眾所注目的焦點。業界認為，15納米的水準應該會是極限。南韓半導體產業協會本部長李敏榮(音譯)表示，如果到了制程的極限，到時候就沒有能甩開大陸等后起業者的武器。為了要讓制程可以朝向更微細發展，必須要持續研發與未來元件有關的核心技術。

　　三星電子半導體事業負責人金奇南表示，半導體技術是沒有極限的，只是需要一點時間來尋找解決的方法而已。