三星2016年將以量產10納米級守住領先優勢

　　三星電子(Samsung Electronics)半導體事業2016年將正式進入10納米(nm)時代。借著量產18納米DRAM與10納米鰭式場效晶體管(FinFET)制程芯片，以擴大技術差距的策略守住半導體領先優勢。

　　據首爾經濟報導，三星半導體事業暨裝置解決方案事業部(Device Solution;DS)在副會長權五鉉主持下，在韓國京畿道器興營業處召開全球戰略會議。據傳半導體總監金奇南、存儲器事業部長全永鉉等經營團隊核心人物與海外分公司主管總動員，共商2016年新品量產與各地區的行銷策略。

　　與會者分享半導體研究所提出的中期技術發展藍圖，并針對尚未商用化的下一代RAM等未來潛力產品，討論有效率的研發量產方案。三星有關人士表示，這次戰略會議的討論重點，是如何發展存儲器與系統半導體兩大主軸，以維持2016年市場地位。

　　據業界消息，三星最快2016年上半就會量產18納米DRAM，宣告DRAM就此進入10納米級時代。最早開始生產20納米DRAM的三星電子也以成為首家量產10納米級DRAM的業者為目標，并力圖與國內外競爭對手維持1~2年的技術差距，以守住存儲器市場第一的地位。

　　此外，三星也正在開發14納米平面NAND Flash、64層3D NAND等重點產品，部分可望在2016年量產。

　　三星系統半導體在2016年達到10納米制程階段的可能性也很高，據傳此次會議中，也審視了以最先進制程技術吸引代工事業客戶的計劃。業界認為三星最快2016年第4季就可采用10納米FinFET制程量產系統半導體，進度可望超越英特爾(Intel)的14納米與臺積電的16納米制程。

　　另一方面，三星半導體設計能力在2016年也備受期待。三星最近宣布結合移動應用處理器(AP)，與通訊用數據芯片的整合芯片Exynos 8 Octa已開發成功，在2015年底開始量產，并將搭載于2016年上市的旗艦智能型手機。

　　此外，三星也預定在2016年大舉推出下一代系統半導體產品。應用于健康照護穿戴式裝置的生物處理器(Bio Processor)將在上半年首度登場;可讓開發者自由利用的物聯網(IoT)平臺模組ARTIK，也很有機會在2016年上市。