我國已掌握新一代存儲芯片核心研發技術

　　11月28日，寧波時代全芯科技有限公司在寧波現場發布了自主研發的55納米相變存儲芯片。這一成果的發布，使該公司成為繼韓國三星、美國美光之后，世界上第三家、中國第一家擁有相變存儲技術自主知識產權的企業，業內人士認為這將有利于打破存儲器芯片生產技術被國外公司壟斷的局面。

　　目前靜態隨機存儲技術、動態隨機存儲技術和快閃存儲技術應用最為廣泛。近幾年才逐漸步入商品化的最新一代存儲技術——相變存儲技術，由于是利用材料相變產生不同的特性作資料存儲，存儲容量遠遠大于目前的高端硬盤。與現有傳統芯片相比，相變存儲器執行速度快1000倍，耐久性多1萬倍。與快閃存儲一樣，相變存儲是非揮發性的，但比快閃存儲更耐用，通常快閃存儲持續約為10萬次讀/寫，而相變存儲的耐用性數千至百萬倍于閃存，其編程速度也比閃存具有數量級的優勢，因此，這一新技術被認為會帶來一個顛覆性的存儲新時代。

　　實際上，相變存儲技術的研發歷史已經有30多年，但是直到最近幾年，由于快速結晶材料的發現才開始邁入商業化階段。第一批商業化的相變存儲產品預計在今年內推出，而其主流產品，如替代傳統硬盤的固態硬盤將于2014年推出。目前，全球只有三星、美光等國外廠商擁有商品化的相變存儲產品，而寧波時代全芯公司自主研發的55納米相變存儲芯片讓我國首次闖入了以前由外國廠商壟斷的相變存儲市場。

　　據了解，寧波時代全芯公司相變存儲技術擁有完全自主知識產權，已申請專利57項，正在申請的專利有141項。其研發團隊由美國國家工程院院士、中國科學院外籍院士馬佐平等專家組成。