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        熱阻測試原理與失效分析

        作者: 時間:2013-04-23 來源:網絡 收藏

        2.2 預判斷失效
        前的預判斷測試項目IF>50 A、IG>500 mA、VT1>4 V、VT0.1 V發生失效,實際上并不是真實的熱阻失效,而是產品開短路或漏電過大或測試設備不良導致的。所以,這一類失效,此時并不需要分析熱阻,而是要分析測試設備是否有問題,產品是否開短路或漏電。
        2.3 熱阻低于規范值
        真正的失效有兩種情況,一類是低于規范值、一類是高于規范值。熱阻測試規范中設置下限,實際足為了防止混管,實際上,熱阻越小越好,所以當熱阻低于規范值時,只需要確認是否混管或誤測,如果鄙不是,可以直接放寬規范下限或取消規范下限,將不良品復測即可。
        2.4 熱阻測試高于規范值
        熱阻高于規范值失效,目前,已知可能的原因有以下幾種:
        ①上芯空洞超標、結合不良;
        ②錫層厚度偏厚、傾斜;
        ③芯片內阻大;
        ④測試規范上限設置過于嚴格;
        ⑤測試條件設置不合理;
        (1)空洞超標、結合不良
        空洞超標、結合不良會導致熱阻偏大,是由于空氣的導熱系數遠小于錫。空氣在標準標準狀態下的導熱系數是0.0244 W/(m.k),而錫的導熱系數是67 W/(m.k),相差近3000倍。所以空洞對熱阻的影響是非常大的,遠大于錫層偏厚或傾斜的影響。熱阻分布如圖4所示。

        本文引用地址:http://www.104case.com/article/192806.htm

        e.JPG


        (2)錫層厚度偏厚、傾斜
        錫層厚度偏厚或傾斜,增加了熱傳導的距離,一定程度上使產品溫度上升較快,導致熱阻偏大,但其影響遠低于空洞或產品自身內阻增加造成的熱阻偏大。熱阻分布如圖5所示。

        f.JPG


        (3)芯片內阻偏大
        當芯片內阻偏大時,產生的熱量會明顯增加,導致產品溫度上升,熱阻增加。熱阻分布如圖6所示。

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