功率MOSFET數據表深入分析

　　此外，數據表中還給出了ID和結溫之間的曲線關系。從下表中可以看出，當環境溫度升高時, ID會隨著溫度而變化。在最差的情況下,需要考慮在最大環境溫度下的ID的電流仍然滿足電路設計的正常電流的要求。

Rthjc：溫阻是對設計者需要非常關注的設計參數，特別是當需要計算功率MOSFET在單脈沖和不同占空比時的功率損耗時，就需要查看這個數據表來進行設計估算。筆者將在如何用數據表來進行設計估算中來具體解釋。

　　SOA：功率MOSFET的過載能力較低，為了保證器件安全工作，具有較高的穩定性和較長的壽命，對器件承受的電流、電壓、和功率有一定的限制。把這種限制用Uds-Id坐標平面表示，便構成功率MOSFET的安全工作區 （Safe OperaTIng Area，縮稱SOA）。同一種器件，其SOA的大小與偏置電壓、冷卻條件、和開關方式等都有關系。如果要細分SOA，還有二種分法。按柵極偏置分為正偏置SOA和反偏置SOA；按信號占空比來分為直流SOA、單脈沖SOA、和重復脈沖SOA。

　　功率MOSFET在開通過程及穩定導通時必須保持柵極的正確偏置，正偏置SOA是器件處于通態下容許的工作范圍；相反，當關斷器件時，為了提高關斷速度和可靠性，需要使柵極處于反偏置，所以反偏置SOA是器件關斷時容許的工作范圍。

　　直流SOA相當于占空比－>1是的工作條件；單脈沖SOA則對應于占空比－> 0時的工作條件；重復脈沖SOA對應于占空比在0 D 1時的工作條件。從數據表上可以看出：單脈沖SOA最大，重復脈沖SOA次之，直流SOA最窄。