MOSFET柵漏電流噪聲模型研究
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超薄柵氧隧穿漏電流低頻噪聲模型適用于超薄柵氧化層MOSFET低頻段噪聲特性表征，與等效柵氧厚度為1．2 nm柵電流噪聲測試結果的對比，驗證了其正確性。通過模型與實驗噪聲測試結果及器件模擬的對比，可用于提取慢氧化層陷阱密度分布。
唯象模型利用勢壘高度漲落和源于二維電子氣溝道的柵極泄漏電流的洛侖茲調制散粒噪聲，來解釋過剩噪聲特征。低頻和高頻范圍內，測量值和仿真值均有良好的一致性。模型將過剩噪聲解釋成1/f'伊噪聲和洛侖茲調制散粒噪聲之和，能夠準確預測超薄柵氧化層的MOS晶體管的過剩噪聲性質并適于在電路仿真中使用。
柵電流分量噪聲模型，模擬結果與低漏偏置下的1．5 nm柵氧厚度p-MOSFET的數值模擬結果和實驗數據一致。該模型適用于納米級MOSFET，僅限于描述由柵隧穿效應引起的柵漏電流漲落。模型兩待定參數都可通過實驗獲得，可方便計算不同偏置下的點頻噪聲幅值。等效電容電荷漲落模型中，柵電流通過柵阻抗產生的電壓漲落經由器件跨導在溝道處得到證實。該模型僅適用于器件飽和條件下，由于忽略了襯底效應，誘生襯底電流和溝道中的高場效應，其適用性和精確度均不高。本文引用地址：http://www.104case.com/article/181165.htm
3 結束語
雖然已經提出多種小尺寸MOSFET柵電流噪聲模型，但各模型均有局限性。等效電容電荷漲落模型局限性很大，超薄柵氧隧穿漏電流低頻噪聲模型可用于精確描述低頻噪聲特性。唯象模型和柵電流分量噪聲模型則主要取決于柵隧穿效應。從噪聲特性看低頻段噪聲功率譜近似為柵電流的二次函數，在低溫環境白噪聲主要成分為散粒噪聲。這些噪聲模型主要針對隧穿機制，全面描述各種隧穿機制引起的柵漏電流模型還有待研究。
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