利用屏蔽柵極功率 MOSFET 技術降低傳導和開關損耗
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圖4 在20A Rds(on) 5.7mΩ的相同條件下，傳統溝槽器件和屏蔽柵極溝槽器件在20A/50V時的Qg曲線的比較
另外，屏蔽層及其阻抗相當于一個內建緩沖電阻(snubbing resistance，(Rshield))－電容(Cdshield)網絡，如圖3中的Coss分量所描述。這個緩沖網絡可減慢開關從低壓向高壓的轉換速度。屏蔽柵極的這一特性有助于減少開關轉換期間的EMI、dv/dt引起的誤導通和雪崩效應。
DC/DC 1/16磚模塊的性能提高
在輸入電壓48V、輸出3.3V、工作頻率400kHz、電流范圍10～20A的隔離DC/DC轉換器初級端中，對飛兆半導體FDMS86252 150V屏蔽柵極MOSFET與同類產品進行比較。結果如圖5所示。從圖中可看到，由于采用了屏蔽柵極技術，FDMS86252的效率最少可提高0.4%，這就意味著至少0.32W的功率節省，看似微不足道，但對DC/DC設計來說卻至關重要，因為要滿足相關規范要求，每一個百分點的效率提高都非常珍貴。
圖5 在一個48VVIN，3.3VVOUT，400kHz工作頻率的隔離DC/DC轉換器中，飛兆半導體FDMS86252 150V屏蔽柵極MOSFET與同類產品的比較
總結
相比前幾代技術，飛兆半導體新推出的PowerTrench MOSFET技術具有更好的Rds(on)和Qg。這種技術讓電源設計人員能夠把效率和功率密度提高到一個新的水平。
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