低抖動Q開關光電轉換及觸發系統設計
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2．2 快脈沖產生電路
Q開關驅動信號要求前沿小于2．5 ns，脈寬10 ns至數μs，由發送端光信號決定。IXYS公司的IXDD415是一種用以驅動高速MOSFET門電路的驅動芯片，其主要特點包括：寬輸出電壓8～30 V，典型前、后沿小于3 ns，典型延時30 ns，最小脈寬6ns，2路輸出且單路最大驅動電流達15 A，芯片內部集成過流保護電路，與TTL或CMOS電平兼容。其芯片引腳及說明分別如圖3，表2所示。本文引用地址：http://www.104case.com/article/179128.htm
作為高速驅動芯片，IXDD415的應用須注意：回路電感，旁路電容，地線。為了避免輸出脈沖出現嚴重LC振蕩，輸出引腳與負載或電纜連接端距離不超過9．5mm，且布線應盡可能寬，以減小回路電感。該驅動芯片輸出脈沖信號的前沿越快，則抖動越小，同時為了獲得足夠的驅動能力，應使IXDD415有足夠低的輸出阻抗，因此在IXDD415的電源輸入引腳引入低電感，低電阻和大的脈沖電流輸出能力的旁路電容。IXDD4 15地線的良好處理除了影響到芯片輸出的抖動外，還會影響到輸出脈沖的后沿，應大面積鋪地且與模擬地的連接盡可能短。
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