缺陷對石墨烯電子結構的影響
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在計算中，以石墨烯原胞擴展后含50個碳原子的超晶胞為基礎分別建立了Stone-Wales缺陷模型和單、雙空位缺陷模型，進行幾何優(yōu)化后分別如圖3所示。建立缺陷模型大小的依據是盡量減小由于缺陷引入而引起的超胞周圍的形變。本文引用地址：http://www.104case.com/article/177883.htm
在計算所有模型的電學性質時采取的積分路徑如圖1所示，首先由Γ出發(fā)到達X點，再由X點出發(fā)到達K點，最后再由K點回到出發(fā)點Γ點，從而完成在布里淵內的積分計算。
2 計算結果和討論
2．1 石墨烯及其缺陷體系能帶結構
為便于分析缺陷對石墨烯電子結構及導電性的影響，文中首先計算了如圖3(a)所示的含50個碳原子的本征石墨烯超胞模型的能帶結構，如圖4(a)所示，其中黑色虛線表示體系的費米能級。在能帶結構中，只關心費米能級處附近的能帶，因此只在計算結果中選取費米能級附近20條能帶進行分析
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