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        Intersil模擬開關提供了超低導通電阻并且板空間比先前的封裝小72%

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        作者: 時間:2006-12-01 來源: 收藏
          l公司宣布推出低壓雙重 ISL5405 和四重 ISL54056 單刀雙擲(SPDT)模擬開關。這些開關提供了超低的、更平坦的導通,從而提高了電池供電的、便攜式和手持式設備的信號質量。 


          這些器件均采用微型μTQFN ;跟 TDFN 和 TQFN 相比,節省了 72% 的板空間;并為在手機應用中實現更寶貴的特性提供了更多空間。ISL54050/56 的厚度為 0.5mm,比采用TDFN和TQFN的產品薄33%左右,其電源電流很低,并且可以利用低邏輯控制信號來降低電池泄漏和延長通話時間,同時還能消除串擾。 


          l公司開關、多路復用器和ATE產品部市場經理Chris Ludeman說:“ISL54050/56的封裝更薄,這樣就節省了板上的垂直空間,從而讓設計者能夠更靈活地將電路板進行背靠背放置,或者采用其它節省空間的配置。這些器件可以保持很低的信號損耗和失真,從而為手機的MP3特性提供了清潔信號,并能夠直接使用鋰離子電池來增大鈴音。它們還能經受得住高 ESD(靜電放電)水平,并且提高了終端產品的可靠性。&#
          空間節省和低失真特性    

          l 的 ISL54050 是雙重低壓單刀雙擲模擬開關,而ISL5405 是四重低壓單刀雙擲模擬開關。它們都是雙向開關,還可以分別用作單和雙差分 2:1 多路復用器。 


        當由3.3V電源供電時,ISL54050的典型導通為0.27 Ohms,ISL54056的典型導通為0.45 Ohms,而電阻平坦度分別為0.03 Ohms和0.05 Ohms,從而為用于低失真音頻通道(如手機和 CD 音頻器件內的 MP3 播放器)提供了極低的總諧波失真(THD)。 


          跟那些交錯傳導電流很大的競爭器件不同,當利用電壓比器件電源電壓低的邏輯控制信號進行控制時,ISL54050/56 具有很低的供電電流。 

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