超大容量存儲器K9F2G08U0M及其在管道通徑儀中的應用

下面是按頁讀操作函數的C語言代碼。
sbit RdyorBsy=P0^0；
unsigned char xdata * data pK9F；
void PageRead(unsigned int ColAdd，unsigned long
RowAdd，unsigned int len)
{
unsigned int i=0；
unsigned char ColTemp，RowTemp；
ColTemp=(unsigned char)(ColAdd>>8)；
RowTemp=(unsigned char)(RowAdd>>16)；
ColTemp =0x0F；
RowTemp =0x01；

pK9F=0x8002；
* pK9F=0x00；
pK9F=0x8001；
* pK9F=(unsigned char)(ColAdd)；
* pK9F=ColTemp；
* pK9F=(unsigned char)(RowAdd)；
* pK9F=(unsigned char)(RowAdd>>8)；
* pK9F=RowTemp；
pK9F=0x8002；
* pK9F=0x30；

while(RdyorBsy)；
while(!RdyorBsy)；
pK9F=0x8000；
for(i=0；i
OutputData[i]= * pK9F；
}
3.2 頁編程
向器件寫入數據時先將數據寫入數據寄存器中，器件寫入操作是基于頁進行的，同時允許在一個頁編程周期內對一頁內的連續部分編程。若不進行擦除，則對同一頁的連續部分編程不能超過4次。
器件支持在1頁范圍內的隨機數據輸入，由隨機輸入命令碼85H啟動，如圖6中虛線框內部分所示，在1頁范圍內可以啟動任意多次隨機輸入操作。數據輸入完畢后，寫入頁編程確認命令10H，將數據寄存器中的內容寫入存儲區。寫入完成后，需要讀狀態寄存器(通過寫入70H實現)判斷操作是否成功。若未能成功寫入，應將當前塊聲明為壞塊，并進行塊數據替換操作，以保證整個系統的可靠性。
此外應注意，同一塊內頁編程時必須從地址最低的頁開始向高地址的頁依次編程，頁地址隨機的頁編程是被禁止的。
下面是頁編程子函數的C語言代碼。