瞄準16/14nm檢測需求 漢微科明年產能翻三倍

　　半導體電子束檢測(E-beam Inspection)設備龍頭漢微科正全速擴產。繼28和20奈米(nm)之后，2015年晶圓代工廠紛紛跨入16或14奈米鰭式電晶體(FinFET)世代，對高解析度的電子束檢測設備需求將更加強勁，因而帶動漢微科提早展開布局，將于2013～2014年投入新臺幣10億元擴建新廠房，并于2014下半年正式投產，挹注三倍設備產能。

　　漢微科財務長李學寒表示，自2012年開始，晶圓代工業者已逐步在28奈米先進制程中導入高階電子束晶圓缺陷檢測設備，以克服電晶體密度大幅微縮后，傳統光學檢測方案不敷應用的問題。隨著一線晶圓代工廠爭相在2013年推出20奈米制程，并接續于2014～2015年往下跨入16或14奈米世代，電子束檢測設備需求更將顯著上揚，預估今年產值將上看2億美元，并于2014年飆升至3億美元。

　　因應市場強勁需求，漢微科行銷副總經理胡瑞卿強調，該公司已計劃今明2年各投資新臺幣5億元于南科辟建新的無塵室與設備產線，預估2014年下半年即可完工并隨即加入量產行列，有助旗下電子束檢測設備年產能三級跳，從現有的五十臺躍升至一百五十臺水準，全面滿足晶圓廠部署20奈米以下制程的需求。

　　據悉，今年上半年漢微科已陸續接獲20奈米晶圓的電子束檢測設備訂單;同時也與主要晶圓廠攜手展開1x奈米FinFET晶圓檢測技術合作，可望于2014年開花結果，挹注另一波電子束檢測設備出貨成長動能。

　　李學寒透露，晶圓廠正馬不停蹄備戰先進奈米制程，刺激半導體檢測技術加快演進步伐，且相關設備需求也將逐年高漲。因此，漢微科將于今年底發表新一代eScan 500電子束檢測設備，除將解析度推升至3奈米水準外，亦將整合跳躍式掃描系統(Leap Scan)和連續式掃描系統(Continuous Scan)，從而提高應用價值與吞吐量，鞏固該公司目前在電子束晶圓檢測領域市占高達八成的領先地位。 由于美、日傳統光學檢測方案供應商近來亦積極轉戰電子束應用領域，漢微科正致力開發更前瞻的技術，期拉開技術差距。李學寒表示，該公司下一代產品將朝2奈米以下超高解析度邁進，并采取多頭布局策略，針對10奈米極紫外光(EUV)微影方案，以及三維晶片(3D IC)矽穿孔(TSV)制程研發相應的檢測設備;同時還將加碼投資多重光束電子束(Multi Column E-beam)技術，并于2014年底推出Beta版本設備，協助晶圓廠提高數倍1x奈米晶圓檢測速度。

　　事實上，半導體業界認為，晶圓制程走到1x奈米后，光學檢測幾乎面臨極限，電子束方案將順勢取而代之;漢微科主攻電子束檢測可謂押對寶，自2011年晶圓廠開始部署28奈米時，該公司就已在半導體晶圓前段制程缺陷檢測領域嶄露頭角，之后2年營收更屢創新高。今年第二季毛利率不僅維持70.4%，營收也達到新臺幣12億8,796萬元的出色表現，且預估第三季因客戶積極準備量產20奈米，刺激相關檢測設備需求，該公司營收仍將微幅成長。