基于DDR NAND閃存的高性能嵌入式接口設計
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2．1 讀操作
DDR NAND的讀操作和寫操作一般都是以頁為單位操作的，與傳統的NAND Flash一樣，它允許在1個頁讀寫周期內讀取1 Byte到data區與spare區大小之和這么多字節。讀取數據過程為：(1)先向DDRNAND發送讀命令00h。(2)然后接著發送需要讀取的DDR NAND的位置row地址和column地址。(3)接著發送讀確認命令30 Hz，DDR NAND收到這個命令后會拉低RB信號線，然后開始工作，將相應的一頁數據讀取到DDR NAND里的頁緩沖，讀完后把RB信號線拉高，產生一個RB中斷。(4)主控程序接收到RB中斷后，發送同步時鐘準備信號，即CLE和ALE同時產生一個cycle。(5)接著就可以發送讀數據的clock cycle，每發送一個clock cycle就會在DDR NAND的頁緩沖FIFO中送出2 Byte數據，上升沿一個，下降沿一個，因為DDR NAND是雙沿采數的，同時DDR NAND也會控制DQS信號線與data同步。(6)主控程序發送完讀數據的clock，讀操作結
束。如圖2所示。本文引用地址：http://www.104case.com/article/150710.htm
2．2 寫操作
在DDR NAND中，寫操作也叫編程。寫操作的單位也是頁，它的操作過程如下：(1)先向DDRNAND發送寫命令80 Hz。(2)然后接著發送需要寫入的DDR NAND的位置row地址和column地址。(3)發送同步時鐘準備信號，即CLE和ALE同時產生一個cycle。(4)接著就可以發送讀數據，發送數據是根據clock產生DQS信號，在DQS信號上下沿分別發送數據到DDR NAND。(5)發完一個page的數據后，接著發送寫確認命令10 Hz，DDR NAND收到這個命令后會拉低RB信號線，然后開始工作，將相應的一頁數據從DDR NAND里的頁緩沖中正式編程到DDR NAND中，待編程完畢后把RB信號線拉高，產生一個RB中斷，如圖3所示，此時寫操作已完成。
2．3 擦除操作
DDR NAND的擦除操作單位為block，擦操作比較特殊，它不涉及任何數據，沒有用雙沿操作的地方，所以它的操作過程和時序跟普通NAND Flash是一樣的，操作過程如下：(1)先向DDR NAND發送擦命令60 Hz。(2)接著發送需要擦除的DDR NAND的位置，3 Byte的row地址。(3)發送擦確認命令d0h，DDR NAND收到這個命令后會拉低RB信號線，然后開始工作，待擦除完畢后再把RB信號線拉高，產生一個RB中斷，一個block擦除完畢。
3 結束語
從市場方面了解到DDR NAND這種雙沿采數的新型NAND Flash有逐步取代原高端16 bit NANDFlash之勢，成為新的高端閃存。它具有更高的讀寫速率，不需要優化代碼就能輕松突破存儲速度的瓶頸限制。
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