三星電子：強化大容量存儲器的產品競爭力

　　4月11日，三星電子表示，從上個月開始，已全面量產高性能10nm級(1nm為10億分之1m)128Gb閃存。128Gb 3bit MLC閃存是目前儲存半導體中容量最大的產品，三星電子通過量產128Gb 3bit MLC閃存，將全面擴大大容量內存及SSD市場，并快速推進64Gb MLC市場的升級。

　　自去年11月初，三星電子便開始大批量生產10nm級超高速64Gb MLC閃存;不到5個月，在容量上擴大至兩倍的10nm級128Gb閃存產品又得以量產，三星電子此舉進一步鞏固了自身在eMMC，SSD等業內最大的大容量內存陣營的地位。

　　128Gb閃存是業內最高水平的大容量高性能閃存產品，它采用了以10nm級3bit MLC為基礎的Toggle DDR 2.0高速用戶界面，(*Toggle2.0：相比普通閃存速度加倍的超高速閃存規格)即使與20nm級64Gb MLC閃存相比，10nm級128Gb 3bit 閃存產品的生產率也提高了2倍以上。

　　2010年，三星電子就已在世界上首次大批量生產了20nm級64Gb 3bit MLC閃存產品，隨后搭載去年9月推出的840 SSD系列產品，大幅擴大了250GB以上的大容量SSD市場，并進一步加快了大容量內存儲市場從20nm級64Gb MLC升級到64Gb 3bit的進程。

　　今年，128Gb 3bit MLC閃存產品不僅將確保擴大128GB內存市場(能夠保存8GB FULL HD 16篇)，而且很有希望全面擴大能轉變HDD(Hard Disk Drive)市場500 GB以上的大容量 SSD市場，并同時推進SSD大眾化時代的提早到來。

　　三星電子存儲器事業部戰略營銷部全永鉉副社長表示，“通過此次高性能128Gb 閃存的量產，將持續強化三星產品在大容量存儲器市場上的產品競爭力。未來，我們將適時推出新一代更高品質的存儲產品，積極應對全球客戶日益增長的存儲產品需求。”

　　未來，三星電子將領先推出新一代以3bit MLC閃存為基礎的大容量SSD以及內置存儲設備和差別化的解決方案，從而持續保持技術競爭力的優勢，并主導高端存儲市場的成長趨勢。