產業大腕云集深圳，共話閃存與移動技術的世紀交鋒

　　二、 Nand Flash與DRAM技術未來將如何發展?　　

 　　如今半導體技術飛速發展，作為存儲中堅的NAND Flash和DRAM技術未來將如何發展?NAND Flash發明者東芝半導體技術統括部存儲應用技術經理康敏宣獨家披露了未來發展戰略。

　　首先他認為NAND Flash未來的應用領域將更加拓廣，“估計今年的NANDFlash總需求量會達到600億GB。”他指出，“除了在手機平板超極本領域應用外，汽車電子、服務器的應用也很大。”

　　他表示東芝的策略是不斷開發先進的工藝技術來提升產能，緩解供應壓力。如東芝是第一家推出19nm產品的公司，“未來，隨著工藝技術發展，東芝的發展方向是兩個，一個是大容量存儲，如19nm工藝產品，不過這個往下發展難度很大，所以，東芝會在明后年推出POST-NAND的產品，也就是3D NAND產品，接下來是POST-POST NAND。另個方向是東芝會投資發展磁阻內存(Magnetoresistive Random Access Memory，MRAM)技術， 它將替代現在的DRAM，磁阻內存和DRAM內存采用了完全不同的原理。DRAM內存用以表示"0"和"1"的方式是判斷電容器中的電量多少來進行的，它不僅需要保持通電，還需要周期性地給電容充電才能保證內容不丟。而磁阻內存的存儲原理則完全不使用電容，它采用兩塊納米級鐵磁體，在界面上用一個非磁金屬層或絕緣層來夾持一個金屬導體的結構。通過改變兩塊鐵磁體的方向，下面的導體的磁致電阻就會發生變化。電阻一旦變大，通過它的電流就會變小，反之亦然。

　　他最看好的明星產品是自旋扭矩轉換(spin-torque-transfer , STT)MRAM，“現在手機中的DRAM，斷電后不能保存資料，而且功耗很高，但MRAM沒有這個問題，而且它的讀寫速度非常快，而且理論上它的讀寫刷新是無限的，所以我們非常看好這款產品，我們希望用MRAM代替現在的DRAM。”他指出。

　　另外他特別強調東芝的所有NAND Flash產品都在日本巖手縣有的第五座NAND型閃存(Flash)工廠生產，以確保向市場提供可靠穩定的產品。

　　三、 智能手機如何差異創新?　　

 

　　目前，智能手機市場火爆但智能機同質化日益嚴重，如何差異化創新?博通公司銷售總監羅旭杰認為，創新就是要給用戶更好的用戶體驗，博通公司認為用戶體驗來自幾個方面，一是在WIFI方面如何更快更可靠更穩定，二是如何共享流媒體，三是給用戶更快的手機上網體驗。“從2012到2017年，數據增長非常快，有13倍之多，其中多數是視頻增長，未來在視頻方面大家會分享的更多，因此，5G WiFi技術會非常熱門。”他指出“5G頻段可以提供更高的性能，也可以連接更多的設備，覆蓋范圍也會增大。”，

　　另外他認為NFC技術也會激發更多創新應用，例如一些輕觸即用(Tap play)的技術，可以方便地把智能設備連接起來。　　

 

　　他認為4G LTE技術會很快應用，因此，博通利用高集成的優勢推出針對4G的方案，例如BCM21982，它支持五模20個頻帶，不但集成了WIFI藍牙還集成了電源管理和射頻電路，此外體積還縮小了30%!