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        液化空氣集團電子氣業務加強高介電常數鋯基前驅體的專利保護

        作者: 時間:2013-04-15 來源:半導體制造 收藏

          集團電子氣業務線近日宣布,其應用于的前驅體ZyALD?已獲得中國專利局授予的相關專利,從而使中國成為了繼韓國、新加坡、中國臺灣以及部分歐洲國家之后又一獲得該項專利的國家。此外,相關專利的申請工作在其他國家及地區也預期順利。ZyALD?及其它類似分子應用于高介電常數沉積鍍膜,該工藝目前已在全球范圍內獲得11項專利,另有13項專利正在申請中。

        本文引用地址:http://www.104case.com/article/144185.htm

          ZyALD?(三(二甲胺基)環戊二烯鋯)是上述已獲專利的系列分子中一種重要的鋯前驅體(功能分子)。該分子能夠在工藝中,實現高溫條件下原子層沉積方法(ALD)沉積鋯基介電層。ZyALD?于2006年首次引入工業應用,目前已成為世界范圍內用于生產動態隨機存取存儲器(DRAM)的主流高介電常數前驅體,替代了在高溫環境下無法實現相應功能的傳統分子。ZyALD?也可應用于后道工藝“金屬-絕緣體-金屬”結構(BEOL MIM Structure)以及嵌入式動態隨機存取存儲器(e-DRAM)中的高介電常數層。

          憑借優異的物理化學屬性以及較高的揮發性、熱穩定性和沉積速率,ZyALD?已成為簡便易用的替代產品,并且通過拓展制造工藝的工藝平臺,幫助終端用戶實現從傳統化學品到ZyALD?的完美過渡。

          ZyALD由集團的ALOHA?制造中心生產,工廠分別位于美國加州、法國沙隆以及日本筑波,為全球大客戶基地提供服務。面臨尖端工藝的挑戰,ALOHA?產品線的各種前驅體提升了微電子制造中膜材料的機電性能,并加速了各種新興應用。ALOHA?產品線可為45納米及以下的器件制造提供所需的尖端CVD和ALD前驅體,涵蓋從噸級別的硅前驅體和高介電常數材料到克級別的實驗研發產品的需求。ALOHA?前驅體優異的綜合實力包含超高純鋼瓶、由集團BALAZS?世界級分析技術所支持的極其嚴格的技術標準、以及授權客戶使用液空前驅體相關的知識產權。



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