賽普拉斯推出快速寫入非易失性存儲器

　　賽普拉斯半導體公司日前宣布，該公司在其產品系列中整合了Ramtron International的鐵電隨機存取存儲器(F-RAM)產品，提供了市場上最豐富的快速寫入非易失性存儲器容量范圍選擇。F-RAM是業界最低功耗的非易失性存儲器，為賽普拉斯全球速度最快的非易失性靜態隨機存取存儲器提供了有效補充。這種全新組合能夠充分滿足大量不同應用對于斷電時保存數據的需求。賽普拉斯的nvSRAM和Ramtron F-RAM產品總共的全球出貨量已超過10億。

　　賽普拉斯于2012年11月20日正式完成Ramtron的并購。賽普拉斯保留Ramtron的器件型號，這些器件型號涵蓋了市場上最豐富的F-RAM器件容量，保留器件型號也便于支持現有的F-RAM客戶。超過95%的量產器件不會因為并購出現供應中斷的問題，包括所有深受歡迎的串行F-RAM存儲器和處理器伴侶(processor companion)。除了流行的串行和并行接口存儲器之外，賽普拉斯非易失性存儲器產品系列還包括RFID標簽常用的無線存儲器以及在同一封裝中結合非易失性存儲器與實時時鐘的集成產品。

　　賽普拉斯存儲器產品業務部執行副總裁Dana Nazarian指出：“Ramtron開發的F-RAM技術具有業界領先的性能，賽普拉斯致力于通過我們豐富的制造技術、出色的全球銷售團隊以及廣泛的經銷網絡為這些產品提供巨大支持。我們計劃在F-RAM技術領域投入研發資源，這也是我們存儲器業務的有機組成部分。”

　　賽普拉斯非易失性產品業務部副總裁Babak Taheri指出：“F-RAM為我們的非易失性存儲器產品系列帶來了巨大優勢和多樣化功能。在我們的nvSRAM產品基礎上補充增加F-RAM解決方案，使我們的客戶能獲得各種最終市場所需的最佳速度和功耗解決方案。”

　　F-RAM和nvSRAM本身屬于非易失性技術，不需要電池備份。F-RAM存儲器單元本身具有10萬億次的高耐用性，快速單周期和對稱讀∕寫速度，低能耗、gamma輻射耐受性和抗電磁干擾功能。這些特性使其理想適用于汽車、智能儀表、醫療設備、ePOS和打印機等多種不同應用。

　　賽普拉斯的nvSRAM采用其S8 0.13微米SONOS(氧化硅氮氧化硅)嵌入式非易失性存儲器技術制造，能夠支持更多的存取次數以及更高的密度和性能。nvSRAM具有無限次讀寫和取回周期，數據保留時間長達20年，使其理想適用于需要持續高速寫入數據和需要絕對非易失性數據安全的應用(如RAID、SSD、工業自動化、計算和游戲應用等)。